Buchumschlag

Photoelectric converters based on porous gallium arsenide

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	A. I. Kirilash, S. V. Simchenko, V. V. Kidalov
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2012
Schriftenreihe:	Physical surface engineering
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000906921
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
von: N. I. Klyui, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
von: M. I. Kliui, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
von: D. M. Jodgorova, et al.
Veröffentlicht: (2009)

Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide
von: Venger, Ye.F., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide
von: Glinchuk, K.D., et al.
Veröffentlicht: (2003)

The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
von: A. S. Klepikova, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Optical and photoelectrical properties of lamellar gallium sulfide single crystals irradiated by γ-quanta
von: Madatov, R.S., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Photoelectric properties of metal-porous silicon-silicon planar heterostructures
von: Brodovoi, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Designs and principles of operation of photoelectric solar energy converters
von: N. N. Chernyshov, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Analysis of the influence of the magnetic field on physical processes in photoelectric converters based on a computer model
von: N. N. Chernyshov, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
von: I. B. Olenych
Veröffentlicht: (2012)

Crystal structure of the arsenide HfNiAs
von: O. Zhak
Veröffentlicht: (2018)

Mathematical Modeling of a Photoelectric Converter Using the Matlab Program
von: O. M. Sham
Veröffentlicht: (2019)

Photoelectric converters of UV radiation with graded-gap layers based on CdxZn1–xS solid solutions
von: Ju. N. Bobrenko, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Photoelectric converter model studing based on monocrystal Si using photo-electromagnetic and magneto-concentration effect
von: N. N. Chernyshov, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Modernized equipment for plasmachemical etching of insulation of p-n transition of photoelectric converters
von: Fedorovich, O.A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Dissolution of indium arsenide in nitric solutions of the hydrobromic acid
von: Tomashik, Z.F., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
von: V. V. Kidalov, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
von: Kidalov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Chemical dissolution of indium arsenide in the Br₂-HBr solutions
von: Tomashik, Z.F., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Formation of diffusion zone in welded joints of porous aluminium alloy with monolithic magnesium alloy at chemical activation by gallium
von: Ju. V. Falchenko, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides
von: Katerynchuk, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Sensor of hydrostatic pressure based on gallium antimonide microcrystals
von: A. A. Druzhinin, et al.
Veröffentlicht: (2015)

High temperature strain sensors based on gallium phosphide whiskers
von: A. O. Druzhynin, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Plasma etching of gallium nitride based heterostructures in production of optoelectronic devices
von: S. V. Dudin
Veröffentlicht: (2006)

AUTONOMOUS MEASUREMENT SYSTEM BASED ON MICROCOMPUTER FOR TESTING PHOTOELECTRIC MODULES
von: Gaevskii, A., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Optical properties of p-type porous GaAs
von: Kidalov, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

CdS films on the porous substruction of Si obtained by chemical surface deposition
von: A. F. Diadenchuk, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Photoelectrical properties of nanoporous silicon
von: A. I. Luchenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Formation of the regular porous structure of p-InP
von: Ja. A. Sychikova, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
von: M. Y. Chumak, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Luminescence of gallium-containing complex oxide crystal
von: Shevchuk, V.N.
Veröffentlicht: (2005)

Using electrochemical method based on copper indium gallium diselenide for solar cells industrial manufacture
von: Ye. I. Sokol, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Hardening of magnesium alloy ML4 in alloying with gallium
von: M. A. Khokhlov, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Economic aspects of realization of autonomous charger stations of electric power based on photoelectric batteries
von: V. I. Budko, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Structure and short range order of liquid gallium
von: R. Bilyk, et al.
Veröffentlicht: (2017)

ECONOMIC ASPECTS OF REALIZATION OF AUTONOMOUS CHARGER STATIONS OF ELECTRIC POWER BASED ON PHOTOELECTRIC BATTERIES
von: Budko, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
von: Madatov, R.S., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Photosensitive porous silicon based structures
von: Svechnikov, S.V., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Optical constants of surface layer on gadolinium gallium garnet: ellipsometric study
von: Belyaeva, A.I., et al.
Veröffentlicht: (1999)