Investigation of the saturation effect of the drain current of a field-effect transistor with series-connected channels
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автори: | A. V. Karimov, D. M. Jodgorova, O. A. Abdulkhaev, E. N. Jakubov, Sh. Sh. Juldashev, A. A. Turaev |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2012
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000908768 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Phototransistor composite on field effect transistors
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2012) -
Features of the amplifying properties of a field-effect transistor in a circuit with dynamic load
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2015) -
Functional characteristics of the field-effect transistor with control pn-junction with different switching modes
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2012) -
Investigation of the effect of potential barriers on mechanisms current transfer in meetings of two-barrier silicon structures
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011) -
Investigation of stability of the pH-sensitive field effect transistors
за авторством: A. S. Pavljuchenko, та інші
Опубліковано: (2010)