The influence of the magnetron sputtering regime and the composition of the reaction gas on the structure and properties of ITO films
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | A. I. Bazhin, A. N. Trotsan, S. V. Chertopalov, A. A. Stipanenko, V. A. Stupak |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Physical surface engineering |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000908769 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Features of high-current pulsed regimes in regimes in magnetron sputtering systems
за авторством: Bizyukov, A.A., та інші
Опубліковано: (2005) -
Twinning in fullerite films under ion irradiation with argon
за авторством: A. I. Bazhin, та інші
Опубліковано: (2011) -
The influence of physical and technological magnetron sputtering modes on the structure and optical properties of CdS and CdTe films
за авторством: G. S. Khrypunov, та інші
Опубліковано: (2017) -
Stydy on resistivity and micostructure of magnetron sputtered α-C:Si films
за авторством: Onoprienko, A.A., та інші
Опубліковано: (2006) -
Structure of tantalum diboride thin films deposited by RF-magnetron sputtering
за авторством: Konovalov, V.A., та інші
Опубліковано: (2008)