Physical properties of composite nanostructures formed on the basis of p-GaSe layered semi-conductor and KNO3 ferroelectric nanosized three-dimensional inclusions
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | A. P. Bakhtinov, V. M. Vodopianov, Z. D. Kovaliuk, Z. R. Kudrynskyi, V. V. Netiaha |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Physical surface engineering |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000908770 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2010)
Properties of hybrid structures grown on the basis of nanocomposite (Ni-C) on the van der Waals surface (0001) GaSe
за авторством: A. P. Bakhtinov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. P. Bakhtinov, та інші
Опубліковано: (2013)
The effect of thermal treatment on the properties of the InSe and GaSe, doped by cobalt and vanadium selenidem
за авторством: Z. D. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Z. D. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2010)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
Topology of the surface of thin oxide films CdO formed on van der Waals surfaces of InSe and GaSe layered crystals
за авторством: Z. R. Kudrynskyi
Опубліковано: (2013)
за авторством: Z. R. Kudrynskyi
Опубліковано: (2013)
Self-organization of magnetic nanostructures on the surface of layers of layered In2Se3 crystals intercalated with cobalt
за авторством: A. P. Bakhtinov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. P. Bakhtinov, та інші
Опубліковано: (2013)
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпро-відника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO₃
за авторством: Бахтінов, А.П., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Бахтінов, А.П., та інші
Опубліковано: (2012)
Fine structure of NQR spectra in GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2009)
Photoelectric properties of In₂O₃-InSe heterostructure with nanostructured oxide
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)
Photoelectric properties of In2O3-InSe heterostructure with nanostructured oxide
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Dielectric characteristics of GaSe nanocrystals intercalated with hydrogen
за авторством: Kaminskii, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Kaminskii, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2003)
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledzyuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. B. Boledzyuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)
Електрохемічні властивості шаруватої сполуки GaSe
за авторством: Балицький, О.О., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Балицький, О.О., та інші
Опубліковано: (2009)
On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2004)
Physicochemical properties of SnO2/MoO3 nanostructures synthesized in the KNO3 melt
за авторством: E. V. Panov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: E. V. Panov, та інші
Опубліковано: (2015)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)
Mechanisms of current passage and excitation of electroluminescence in GaSe:Er monocrystals
за авторством: Tagiyev, B.G., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Tagiyev, B.G., та інші
Опубліковано: (2002)
Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn›
за авторством: Pashayev, A. M., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Pashayev, A. M., та інші
Опубліковано: (2011)
Impedance Anisotropy and Quantum Photocapacity of Bio/Inorganic Clathrates InSe<HISTIDINE> and GaSe<HISTIDINE>
за авторством: Ivashchyshyn, F.O., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ivashchyshyn, F.O., та інші
Опубліковано: (2015)
Impedance anisotropy and quantum photocapacity of bio/inorganic clathrates InSe/histidine/ and GaSe/histidine/
за авторством: F. O. Ivashchyshyn, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: F. O. Ivashchyshyn, та інші
Опубліковано: (2015)
Impedance anisotropy and quantum photocapacity of bio/inorganic clathrates InSe /histidine/ and GaSe /histidine/
за авторством: F. O. Ivashchyshyn, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: F. O. Ivashchyshyn, та інші
Опубліковано: (2015)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Кудринский, З.Р., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Кудринский, З.Р., та інші
Опубліковано: (2012)
THERMODYNAMICALLY STABLE PHASES OF THE Ag9GaSe6 – Ag8GeSe6 SYSTEM AT T
за авторством: Moroz, Mykola, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Moroz, Mykola, та інші
Опубліковано: (2022)
Electronic structure of FeSe monolayer super-conductors
за авторством: I. A. Nekrasov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: I. A. Nekrasov, та інші
Опубліковано: (2016)
Gases and non-metallic inclusions in steel castings
за авторством: V. V. Jasjukov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. V. Jasjukov, та інші
Опубліковано: (2017)
Formation and properties of intercalatal nanostructures of an inorganic semiconductor/ferroelectric liquid crystal
за авторством: T. M. Bishchaniuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: T. M. Bishchaniuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Characterization of nanostructured In6Se7 inclusions in layered α-In2Se3 crystals using analytical X-ray diffractometry methods
за авторством: S. I. Drapak, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: S. I. Drapak, та інші
Опубліковано: (2022)
Characterization of nanostructured In6Se7 inclusions in layered α-In2Se3 crystals using analytical X-ray diffractometry methods
за авторством: S. I. Drapak, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: S. I. Drapak, та інші
Опубліковано: (2022)
Features of rate of current raise in the load of semi-conductor electro-discharge installations
за авторством: N. I. Suprunovskaja, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: N. I. Suprunovskaja, та інші
Опубліковано: (2017)
Investigation of some mechanisms for formation of exciton absorption bands in layered semiconductor n-InSe and p-GaSe crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2003)
Dipole models of proper ferroelectrics NaNO₂ and Sn(Pb)₂P₂S(Se)₆
за авторством: Drobnich, A., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Drobnich, A., та інші
Опубліковано: (1998)
The phase transitions character and microscopic models for Sn₂P₂S(Se)₆ ferroelectrics
за авторством: Vysochanskii, Yu., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Vysochanskii, Yu., та інші
Опубліковано: (2002)
Lattice dynamics and phase transitions in Sn₂P₂S(Se)₆ ferroelectric crystals
за авторством: Yevych, R.M., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Yevych, R.M., та інші
Опубліковано: (2006)
The effect of the introduction of NI2+ ions on the properties of InSe layered crystals
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Nanosized levels of the self-organized structures in the non-crystalline semiconductors As-S(Se) system
за авторством: M. I. Maryan, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: M. I. Maryan, та інші
Опубліковано: (2019)
Nanosized levels of the self-organized structures in the non-crystalline semiconductors As-S(Se) system
за авторством: Mar'yan, M.I., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Mar'yan, M.I., та інші
Опубліковано: (2019)
Схожі ресурси
-
Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2010) -
Properties of hybrid structures grown on the basis of nanocomposite (Ni-C) on the van der Waals surface (0001) GaSe
за авторством: A. P. Bakhtinov, та інші
Опубліковано: (2013) -
The effect of thermal treatment on the properties of the InSe and GaSe, doped by cobalt and vanadium selenidem
за авторством: Z. D. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2014) -
Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2010) -
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)