The thermal broadening of the density of states and the temperature dependence of the width of the forbidden zone
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автори: | G. Guljamov, Ju. Sharibaev, U. I. Erkaboev |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2012
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000908772 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Репозиторії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
The temperature dependence of the width of the forbidden band of Si and the relation to the thermal broadening of the density of states
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2012) -
The influence of temperature on the width of the forbidden band of a semiconductor
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2011) -
Temperature dependence of the density of state in a strong quantizing magnetic field
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2014) -
Influence of the effective mass of the state density on the temperature dependence of the band gap in solid solutions p-Bi2-xSbxTe3-ySey
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2013) -
The temperature dependence of the density of surface states, determined using unsteady capacitive spectroscopy
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2010)