Phase portraits of deformation effects in semiconductors in the pulsed mode
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автори: | M. G. Dadamirzaev, A. G. Guljamov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2012
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000908773 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Phase portraits of deformation effects on strain-sensitive Bi2Te3 and Sb2Te3 films
за авторством: Kh. Shamirzaev, та інші
Опубліковано: (2011) -
The dependence of the concentration of excess electrons (Δn) from variable strain (ε) in semiconductors
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2014) -
Tensoresistive effect in the system of potential barriers in semiconductor films
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2013) -
Pulses of the excitonic condensed phase in semiconductors with double quantum well at steady pumping: Size effects
за авторством: V. V. Mykhaylovskyy, та інші
Опубліковано: (2018) -
Pulses of the excitonic condensed phase in semiconductors with double quantum well at steady pumping: Size effects
за авторством: V. V. Mykhaylovskyy, та інші
Опубліковано: (2018)