Mamatkarimov, O. O., Khamidov, K., Zhabborov, R. G., Tujchiev, U. A., & Kuchkarov, K. (2012). Relaxation changes in the mobility and concentration of charge carriers in Si with deep impurity levels under the action of pulsed pressure.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Mamatkarimov, O. O., Kh Khamidov, R. G. Zhabborov, U. A. Tujchiev, та Kh Kuchkarov. Relaxation Changes in the Mobility and Concentration of Charge Carriers in Si with Deep Impurity Levels Under the Action of Pulsed Pressure. 2012.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Mamatkarimov, O. O., et al. Relaxation Changes in the Mobility and Concentration of Charge Carriers in Si with Deep Impurity Levels Under the Action of Pulsed Pressure. 2012.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.