Зображення обкладинки

Impurity and vacancy effects in graphene

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	V. M. Loktev, Yu. G. Pogorelov
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2012
Назва видання:	Low Temperature Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000925520
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Impurity and vacancy effects in graphene
за авторством: Loktev, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Electronic spectra, topological states and impurity effects in graphene nanoribbons
за авторством: Yu. G. Pogorelov, та інші
Опубліковано: (2021)

Conventional and unconventional impurity effects in superconductors
за авторством: Yu. G. Pogorelov, та інші
Опубліковано: (2018)

Conventional and unconventional impurity effects in superconductors
за авторством: Pogorelov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2018)

Spectral function of graphene with short-range impurity centers
за авторством: Skrypnyk, Yu.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Kinetic processes in solid helium with impurities and vacancies
за авторством: V. A. Majdanov, та інші
Опубліковано: (2017)

Local spectra at impurity and neighboring sites in graphene: resonance manifestation
за авторством: Y. V. Skrypnyk, та інші
Опубліковано: (2020)

Impurity effects in quasiparticle spectrum of high-Tc superconductors
за авторством: Yu. G. Pogorelov, та інші
Опубліковано: (2011)

Effect of Double-Atom Vacancy Defects on the Elastic Properties of Single-Layered Graphene Sheets
за авторством: Wang, Z.Q., та інші
Опубліковано: (2017)

Stability of single-atom iron complexes on graphene double vacancy
за авторством: O. S. Karpenko, та інші
Опубліковано: (2023)

Migration of impurity atoms in structure of graphene
за авторством: A. S. Dolgov, та інші
Опубліковано: (2013)

Enthalpy of formation of impurity-vacancy complexes in crystals A 2B6
за авторством: I. V. Horichok
Опубліковано: (2012)

First principles calculations of indium impurity-cadmium vacancy complex in CdTe
за авторством: Yuriychuk, I., та інші
Опубліковано: (2018)

Impurity induced broadening of Drude peak in strained graphene
за авторством: Shubnyi, V.O., та інші
Опубліковано: (2018)

The Energy Spectrum of Graphene Doped with Nitrogen Impurity
за авторством: S. P. Repetskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Distribution of concentration of impurities and &quot;impurity–vacancy&quot; complexes beyond the range of ions during implantation
за авторством: V. Y. Suhakov, та інші
Опубліковано: (2017)

Nature of Spin-Dependent Transport in Graphene with Chromium Impurity
за авторством: S. P. Repetskyi, та інші
Опубліковано: (2013)

Electron structure and electric conductivity of graphene with a nitrogen impurity
за авторством: S. P. Repetsky, та інші
Опубліковано: (2015)

Electron structure and electric conductivity of graphene with a nitrogen impurity
за авторством: S. P. Repetskyi, та інші
Опубліковано: (2015)

On equivalence of two vacancy models, applied to electron spectrum of materials with honeycomb lattice
за авторством: Ju. V. Skripnik, та інші
Опубліковано: (2016)

Electronic properties of graphene with point defects
за авторством: Ju. V. Skripnik, та інші
Опубліковано: (2018)

Dynamics of quasi-particles in graphene with impurities and sharp edges from the kp-method standpoint
за авторством: A. M. Kadigrobov
Опубліковано: (2021)

Supertunneling effect in graphene
за авторством: A. M. Korol
Опубліковано: (2021)

Sorption of 4He, H2, Ne, N2, CH4, and Kr impurities in graphene oxide at low temperatures. Quantum effects
за авторством: A. V. Dolbin, та інші
Опубліковано: (2013)

Evolution of vacancy pores in bounded particles
за авторством: Yanovsky, V.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Semiempirical energies of vacancy formation in semiconductors
за авторством: I. V. Horichok, та інші
Опубліковано: (2016)

Semiempirical energies of vacancy formation in semiconductors
за авторством: I. V. Horichok, та інші
Опубліковано: (2016)

Effect of graphene filler oxidation on the thermal destruction of epoxy-graphene composites
за авторством: N. V. Sigareva, та інші
Опубліковано: (2021)

Energy of vacancy formation in the continuum matter model
за авторством: A. G. Khrapak, та інші
Опубліковано: (2013)

Role of non-equilibrium vacancies in spinodal decomposition
за авторством: N. V. Tiutiunnyk, та інші
Опубліковано: (2012)

Structural features of Fe-Al-vacancy system
за авторством: Rokhmanov, N.Ya., та інші
Опубліковано: (2006)

The properties of vacancies in solid ⁴He as studied by pressure measurements
за авторством: Remeijer, P., та інші
Опубліковано: (1997)

Role of non-equilibrium vacancies in spinodal decomposition
за авторством: N. V. Tyutyunnyk, та інші
Опубліковано: (2012)

Impurity effective mass in superfluid ⁴He
за авторством: Vakarchuk, I.O., та інші
Опубліковано: (1998)

Toward theory of quantum Hall effect in graphene
за авторством: Gorbar, E.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Effect of electron-magnon coupling on the electronic spectrum of weakly doped high-Tc compounds
за авторством: Ivanov, M.A., та інші
Опубліковано: (1998)

Phase stability of spherical ferrum nanoparticles under radiation saturation with vacancies
за авторством: A. S. Shirinian, та інші
Опубліковано: (2022)

Metal vacancies in Cd1-xZnxS quantum dots
за авторством: I. M. Kupchak, та інші
Опубліковано: (2020)

Modelling vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)

Formation of oxygen vacancies in ceria-zirconia nanocrystals studied by spectroscopic techniques
за авторством: Okrushko, E.N., та інші
Опубліковано: (2018)