Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автори: | I. B. Berkutov, V. V. Andrievskii, Yu. F. Komnik, Yu. A. Kolesnichenko, R. J.H. Morris, D. R. Leadley, O. A. Mironov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2012
|
Назва видання: | Low Temperature Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000925867 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2012) -
Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2008) -
Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004) -
Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000) -
Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)