Buchumschlag

Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	I. B. Berkutov, V. V. Andrievskii, Yu. F. Komnik, Yu. A. Kolesnichenko, R. J.H. Morris, D. R. Leadley, O. A. Mironov
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2012
Schriftenreihe:	Low Temperature Physics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000925867
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
von: Berkutov, I.B., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
von: Berkutov, I.B., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
von: Horvath, Zs.J., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
von: Dugaev, V.K., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
von: Gomeniuk, Y.V., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
von: Беркутов, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
von: V. V. Kuryliuk
Veröffentlicht: (2013)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
von: V. V. Kuryliuk
Veröffentlicht: (2013)

Interference effects in the Si–Ge heterostructures with quantum wells of different width
von: I. B. Berkutov, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
von: Yu. M. Gudenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
von: Gudenko1, Yu.M., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
von: Dolgolenko, A.P., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
von: Комник, Ю.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Seebeck&#039;s effect in p-SiGe whisker samples
von: A. P. Dolgolenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
von: Хижный, В.И.
Veröffentlicht: (2008)

Features of magnetotransport in heterostructures with selectively doped quantum wells
von: V. V. Vajnberg, et al.
Veröffentlicht: (2014)

SiGe HBT low noise amplifiers for ultra-wideband systems
von: V. P. Popov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем
von: Попов, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем
von: Popov, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
von: V. Shmid, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
von: V. Shmid, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
von: Беркутов, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Two-stage cascaded modules based on Bi2Te3 and SiGe for thermoelectric generators
von: Ja. Mikhajlovskij, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
von: V. S. Lysenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
von: Lysenko, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Двухкаскадные модули на основе Bi2Te3 и SiGe для термоэлектрических генераторов
von: Mikhailovsky, V. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Двухкаскадные модули на основе Bi₂Te₃ и SiGe для термоэлектрических генераторов
von: Михайловский, В.Я., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Magnetotransport properties of CrO2 powder composites
von: Yu. Beliayev, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
von: Kondratenko, S.V.
Veröffentlicht: (2015)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
von: S. V. Kondratenko
Veröffentlicht: (2015)

The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied
von: Berkutov, I.B., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Charge transition phenomena in the heterostructure crystalline Si-Bi-amorphous film Ge₃₃As₁₂Se₅₅
von: Kondrat, O., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
von: Arapov, Yu.G., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Germanium quantum well with two subbands occupied: kinetic properties
von: I. B. Berkutov, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Valentin Peschansky and puzzles of magnetotransport
von: Pudalov, V.M.
Veröffentlicht: (2011)

Valentin Peschansky and puzzles of magnetotransport
von: V. M. Pudalov
Veröffentlicht: (2011)

Valentin Peschansky and puzzles of magnetotransport
von: Slobodeniuk, A.O., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Germanium quantum well with two subbands occupied: kinetic properties
von: Berkutov, I.B., et al.
Veröffentlicht: (2017)