Effect of buffer layer of porous silicon carbide on the interface with the oxide layer (review)
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автор: | O. B. Okhrimenko |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287274 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Functionalization and nanostructurization of surface layers of porous silicon
за авторством: Ye. I. Zubko
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ye. I. Zubko
Опубліковано: (2013)
Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
Effect of pressure on the electrophysical properties of the interface layer of heterocontacts based on layered crystals
за авторством: M. O. Vorobets
Опубліковано: (2008)
за авторством: M. O. Vorobets
Опубліковано: (2008)
The structure of oxide film on the porous silicon surface
за авторством: O. I. Zavalistyi, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: O. I. Zavalistyi, та інші
Опубліковано: (2020)
The structure of oxide film on the porous silicon surface
за авторством: O. I. Zavalistyi, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: O. I. Zavalistyi, та інші
Опубліковано: (2020)
Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers
за авторством: O. S. Oberemok, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: O. S. Oberemok, та інші
Опубліковано: (2011)
Variation of optical parameters of multilayer structures with thin silicon layers at laser annealing
за авторством: Okhrimenko, O.B.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Okhrimenko, O.B.
Опубліковано: (2014)
Variation of optical parameters of multilayer structures with thin silicon layers at laser annealing
за авторством: O. B. Okhrimenko
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. B. Okhrimenko
Опубліковано: (2014)
Features of the structure formation of secondary silicon carbide synthesized under conditions of the interaction of nano-sized nonstoichiometric silicon carbide with iron oxide
за авторством: Ya. H. Tymoshenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Ya. H. Tymoshenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Spectroscopy of films of polysilanes/porous silicon and titanium oxides nanocomposites
за авторством: N. I. Ostapenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: N. I. Ostapenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Effective Elastic Properties of Layered Composite Materials with Defects on Interface Boundary
за авторством: L. P. Khoroshun
Опубліковано: (2019)
за авторством: L. P. Khoroshun
Опубліковано: (2019)
Spectral dependence of the photomagnetic effect in porous silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2001)
Diffraction of an elastic SH-wave at the interface crack in a rigid junction of the layer and an interface
за авторством: Z. T. Nazarchuk, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Z. T. Nazarchuk, та інші
Опубліковано: (2011)
Silicon carbide LED
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)
The Technology of Production of Composite Laminates with Functional Tribotechnical Layer Strengthened by Nanoscale Carbides and Oxides by Furnace-Based Welding
за авторством: A. S. Zatulovskij, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. S. Zatulovskij, та інші
Опубліковано: (2019)
Optical parameters of nanocomposite films of porous aluminium oxide with quantum dots of silicon or germanium
за авторством: Ju. V. Ushenin, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. V. Ushenin, та інші
Опубліковано: (2013)
Dependence of magnetoelectric effect in layered lead zirconate-titanate / nickel heterostructures on the interface type
за авторством: Poddubnaya, N.N., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Poddubnaya, N.N., та інші
Опубліковано: (2010)
Corrosion processes and mineralization in metal-bentonite buffer system
за авторством: B. H. Shabalin, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: B. H. Shabalin, та інші
Опубліковано: (2017)
Heat exchange and fluid spread dynamics in the porous layer
за авторством: T. A. Rezakova
Опубліковано: (2012)
за авторством: T. A. Rezakova
Опубліковано: (2012)
Optimization of the properties of multi-layer porous penetrating materials
за авторством: Yu. Povstianoi, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Yu. Povstianoi, та інші
Опубліковано: (2020)
Effect of sintering temperature and applied pressure on the properties of boron carbide- silicon carbide composites
за авторством: Ya. Z. Aygьzer, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Ya. Z. Aygьzer, та інші
Опубліковано: (2021)
Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2020)
Estimation of field-emission properties of nanostructures based on silicon carbide and graphene
за авторством: O. B. Okhrimenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. B. Okhrimenko, та інші
Опубліковано: (2012)
A silicon carbide thermistor
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)
Evidence for photochemical transformations in porous silicon
за авторством: Shevchenko, V.B., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Shevchenko, V.B., та інші
Опубліковано: (1999)
Hardening foam glass finely reaction product of non-stoichiometric silicon carbide with metal oxides
за авторством: M. P. Hadzyra, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. P. Hadzyra, та інші
Опубліковано: (2014)
Application of the buffered probability of exceedance in reliability optimization problems
за авторством: G. M. Zrazhevskij, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: G. M. Zrazhevskij, та інші
Опубліковано: (2020)
Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)
On melting of silicon carbide under pressure
за авторством: P. S. Sokolov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. S. Sokolov, та інші
Опубліковано: (2012)
Manufacturing technology for contacts to silicon carbide
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2013)
Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)
Modification of optical properties of porous AIIIBV layers produced by anodic etching
за авторством: N. Dmitruk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: N. Dmitruk, та інші
Опубліковано: (2012)
Modification of optical properties of porous AIIIBV layers produced by anodic etching
за авторством: N. Dmitruk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: N. Dmitruk, та інші
Опубліковано: (2012)
The effect of throughflow and gravitational modulation on weakly nonlinear bio-thermal convection in a porous medium layer
за авторством: M. I. Kopp, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: M. I. Kopp, та інші
Опубліковано: (2024)
The effect of throughflow and gravitational modulation on weakly nonlinear bio-thermal convection in a porous medium layer
за авторством: M. I. Kopp, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: M. I. Kopp, та інші
Опубліковано: (2024)
Photoelectric properties of metal-porous silicon-silicon planar heterostructures
за авторством: Brodovoi, A.V., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Brodovoi, A.V., та інші
Опубліковано: (2002)
Sensing to gases of structures silicide cobalt-porous silicon-silicon
за авторством: I. V. Belousov, та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: I. V. Belousov, та інші
Опубліковано: (2006)
Preparation and characterization of diamond–silicon carbide–silicon composites gaseous silicon vacuum infiltration process
за авторством: R. J. Liu, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. J. Liu, та інші
Опубліковано: (2014)
Preparation and characterization of diamond–silicon carbide–silicon composites gaseous silicon vacuum infiltration process
за авторством: R. J. Liu, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. J. Liu, та інші
Опубліковано: (2014)
Схожі ресурси
-
Functionalization and nanostructurization of surface layers of porous silicon
за авторством: Ye. I. Zubko
Опубліковано: (2013) -
Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017) -
Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017) -
Effect of pressure on the electrophysical properties of the interface layer of heterocontacts based on layered crystals
за авторством: M. O. Vorobets
Опубліковано: (2008) -
The structure of oxide film on the porous silicon surface
за авторством: O. I. Zavalistyi, та інші
Опубліковано: (2020)