Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | S. I. Krukovskyi, A. V. Sukach, V. V. Tetorkin, I. O. Mrykhin, Yu. S. Mykhashchuk |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2012
|
| Schriftenreihe: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287279 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
von: Круковський, C.I., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Круковський, C.I., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
von: Круковський, С.І., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Круковський, С.І., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic
von: S. I. Krukovskij
Veröffentlicht: (2006)
von: S. I. Krukovskij
Veröffentlicht: (2006)
Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники
von: Krukovsky, S. I.
Veröffentlicht: (2026)
von: Krukovsky, S. I.
Veröffentlicht: (2026)
Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
von: Ya. O. Sychikova
Veröffentlicht: (2011)
von: Ya. O. Sychikova
Veröffentlicht: (2011)
Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n+-n-n++-n+++-InP
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Preparation of nanoporous n-InP(100) layers by electrochemical etching in HCI solution
von: Sychikova, J.A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Sychikova, J.A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Formation of the regular porous structure of p-InP
von: Ja. A. Sychikova, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Ja. A. Sychikova, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління
von: Сичікова, Я.О.
Veröffentlicht: (2011)
von: Сичікова, Я.О.
Veröffentlicht: (2011)
Porous nanostructured InP: technology, properties, application
von: Arsentyev, I. N., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Arsentyev, I. N., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Electrical and photoelectrical properties of a-SICN/c-SI heterojunctions
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
von: T. T. Kovaliuk, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: T. T. Kovaliuk, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Photoelectrical analysis of n-TiO₂/p-CdTe heterojunction solar cells
von: Brus, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Brus, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Structure changes in InP and GaAs crystals double irradiated with electrons and swift heavy ions
von: Didyk, A., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Didyk, A., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Формирование регулярной пористой структуры р-InP
von: Сычикова, Я.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Сычикова, Я.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Photoelectrical analysis of n-TiO2/p-CdTe heterojunction solar cells
von: V. V. Brus, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: V. V. Brus, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Cryogenic resistance thermometers based on Ge–InP films
von: V. F. Mitin, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: V. F. Mitin, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
von: V. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: V. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
von: Milenin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Milenin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Кріогенні термометри опору на основі плівок Ge–InP
von: Mitin, Vadim, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Mitin, Vadim, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Новицкий, С.В.
Veröffentlicht: (2012)
von: Новицкий, С.В.
Veröffentlicht: (2012)
Фотоэлектрохимические процессы, импеданс и шумы на полупроводниковом InP-электроде
von: Колбасов, Г.Я., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Колбасов, Г.Я., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
von: Horvath, Zs.J., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Horvath, Zs.J., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
von: V. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: V. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
von: Milenin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Milenin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Peculiarities of manufacture, electrical and photoelectrical properties of diffusion Gep-i-n- photodiodes
von: V. P. Maslov, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: V. P. Maslov, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Superconducting high-field wigglers and wave length shifters in Budker INP
von: Batrakov, A.M., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Batrakov, A.M., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Photoluminescence characterization of Al/Al₂O₃/InP MIS structures passivated by anodic oxidation
von: Mahdjoub, A., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Mahdjoub, A., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Electrical properties anisotype heterojunctions n-TiO2:Mn/p-CdTe
von: A. I. Mostovoj, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: A. I. Mostovoj, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
von: S. V. Stariy, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: S. V. Stariy, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
von: Stariy, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Stariy, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis
von: Arsentyev, I.N., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Arsentyev, I.N., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Ähnliche Einträge
-
Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
von: Круковський, C.I., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
von: Круковський, С.І., et al.
Veröffentlicht: (2011)