Schottky contact degradation at thermal annealing
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автори: | E. F. Venger, I. Gotovy, L. V. Shekhovtsov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2012
|
Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287281 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Lateral photo-emf in Schottky contact
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2010) -
Lateral photo-emf in a nonuniform Schottky contact
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2011) -
Some features of transverse photovoltage in semiconductor heterostructure and Schottky contact
за авторством: Shekhovtsov, L.V.
Опубліковано: (2001) -
On a doped transition layer in the space charge region of Schottky contact
за авторством: Shekhovtsov, L.V.
Опубліковано: (2002) -
Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au-Mo-TiBx-GaAs
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (1999)