Electrical properties of In/p-pbte structures
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автори: | H. P. Malanych, A. V. Sukach, V. V. Tetorkin, A. T. Voroshchenko, Yu. Kravetskyi, I. I. Pavlovych |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2012
|
Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287282 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Carrier transport mechanisms in polycrystalline sandwich structures p+-PbTe/p-CdTe/p+-PbTe
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2013) -
Effect of surface conductivity on electrical properties of mesa-structure InAs p—n-junctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010) -
Injection current and infrared photosensitivity in isotype p-PbTe/p-CdTe heterojunctions
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2013) -
Injection current and infrared photosensitivity in isotype p-PbTe/p-CdTe heterojunctions
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2013) -
Peculiarities of preparation of CdTe p-n junctions and carrier transport in them
за авторством: A. T. Voroshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)