Kinetic of photoluminescence of porous nc-Si–SiOx structures
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | E. V. Mikhajlovskaja, V. A. Danko, I. Z. Indutnyj, P. E. Shepeljavyj |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287284 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Photoluminescence of porous nc-Si—SiOx nanostructures treated by HF vapors
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)
Control of photoluminescence spectra of porous nc-Si-SiOx structures by vapor treatment
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010)
Nickel-induced enhancement of photoluminescence in nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: Michailovska, K.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Michailovska, K.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of acetone vapor treatment on photoluminescence of porous nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (2009)
Nickel-induced enhancement of photo-luminescence in nc-Si-SiOx nanostructures
за авторством: K. V. Michailovska, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: K. V. Michailovska, та інші
Опубліковано: (2014)
The influence of the periodic relief of the silicon substrate on polarization of photoluminescence observed in nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2017)
Photoluminescence properties of silicon nanoparticlesinmultilayered (SiOx-SiOy)n structures with porousinsulatinglayers
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: K. V. Mykhailovska, та інші
Опубліковано: (2018)
Effect of chemical and radiofrequency plasma treatment on photoluminescence of SiOx films
за авторством: Indutnyy, I.Z., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Indutnyy, I.Z., та інші
Опубліковано: (2006)
The use of porous SiOx films in sensors based on surface plasmon resonance
за авторством: Ye. Vakariuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ye. Vakariuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOx porous nanocomposite films
за авторством: I. P. Lisovskyy, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: I. P. Lisovskyy, та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOx porous nanocomposite films
за авторством: Lisovskyy, I.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Lisovskyy, I.P., та інші
Опубліковано: (2011)
Reversible photodarkening in composite As2S3/SiOx nanostructures
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2011)
Electron field emission from SiOx films
за авторством: Evtukh, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Evtukh, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films
за авторством: M. V. Sopinskyy, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: M. V. Sopinskyy, та інші
Опубліковано: (2011)
Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films
за авторством: Sopinskyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Sopinskyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2011)
Temperature and laser annealing of nonstoichiometric SiOx films
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Температурний та лазерний відпал нестехіометричних плівок SiOx
за авторством: Гаврилюк, О.О., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Гаврилюк, О.О., та інші
Опубліковано: (2013)
Laser heating effect on Raman spectra of Si nanocrystals embedded into SiOx matrix
за авторством: A. S. Nikolenko
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. S. Nikolenko
Опубліковано: (2013)
Nanostructuring the SiOx layers by using laser-induced self-organization
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2017)
Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO2(Si) films under thermal and laser annealing
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2014)
Theoretical study on laser annealing of non-stoichiometric SiOX films
за авторством: O. O. Gavrylyuk
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. O. Gavrylyuk
Опубліковано: (2014)
Laser-stimulated phase transformations in thin SiOx and CNx–Ni layers
за авторством: L. L. Fedorenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: L. L. Fedorenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Non-stoichiometric silicon oxides SiOx (x < 2)
за авторством: O. V. Filonenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. V. Filonenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Study of the distribution of temperature profiles in nonstoichiometric SiOx films at laser annealing
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Study of the distribution of temperature profiles in nonstoichiometric SiOx films at laser annealing
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO₂ grown by high temperature annealing technology of SiOx layer, X<2
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії
за авторством: Козирев, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Козирев, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2010)
Influence of SiOx-film deposited by thermal evaporation on the near-bandedge luminescence of mono-crystalline silicon
за авторством: N. A. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: N. A. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2010)
Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO2 grown by high temperature annealing technology of SiOX layer, X&lt;2
за авторством: S. V. Bunak, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: S. V. Bunak, та інші
Опубліковано: (2010)
Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)
Effect of low-temperature treatments on photoluminescence enhancement of ion-beam synthesized Si nanocrystals in SiO₂ matrix
за авторством: Khatsevich, I., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Khatsevich, I., та інші
Опубліковано: (2008)
Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters
за авторством: A. Sarikov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. Sarikov, та інші
Опубліковано: (2012)
Structure and stability of MnOx-Na2WO4/SiO2 catalyst for oxidative condensation of methane
за авторством: S. Osmanova, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: S. Osmanova, та інші
Опубліковано: (2024)
Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si
за авторством: Red’ko, S.M.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Red’ko, S.M.
Опубліковано: (2015)
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaN:Si
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2015)
Photoluminescence of nanocrystalline cdte, introduced into porous silicon
за авторством: H. A. Pashchenko, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: H. A. Pashchenko, та інші
Опубліковано: (2021)
Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and films during phase transformations
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
Preparation and study of the porous Si surfaces obtained by electrochemical method
за авторством: V. G. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. G. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
The influence of H₂S and H₂ adsorption on characteristics of MIS structures with Si porous layers
за авторством: Solntsev, V.S., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Solntsev, V.S., та інші
Опубліковано: (2008)
Схожі ресурси
-
Photoluminescence of porous nc-Si—SiOx nanostructures treated by HF vapors
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010) -
Control of photoluminescence spectra of porous nc-Si-SiOx structures by vapor treatment
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2010) -
Nickel-induced enhancement of photoluminescence in nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: Michailovska, K.V., та інші
Опубліковано: (2014) -
Effect of acetone vapor treatment on photoluminescence of porous nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (2009) -
Nickel-induced enhancement of photo-luminescence in nc-Si-SiOx nanostructures
за авторством: K. V. Michailovska, та інші
Опубліковано: (2014)