Enthalpy of formation of impurity-vacancy complexes in crystals A 2B6
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автор: | I. V. Horichok |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2012
|
Назва видання: | Ukrainian Chemistry Journal |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001334009 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Impurity and vacancy effects in graphene
за авторством: V. M. Loktev, та інші
Опубліковано: (2012) -
Impurity and vacancy effects in graphene
за авторством: Loktev, V.M., та інші
Опубліковано: (2012) -
Semiempirical energies of vacancy formation in semiconductors
за авторством: I. V. Horichok, та інші
Опубліковано: (2016) -
Semiempirical energies of vacancy formation in semiconductors
за авторством: I. V. Horichok, та інші
Опубліковано: (2016) -
Distribution of concentration of impurities and "impurity–vacancy" complexes beyond the range of ions during implantation
за авторством: V. Y. Suhakov, та інші
Опубліковано: (2017)