Enthalpy of formation of impurity-vacancy complexes in crystals A 2B6
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автор: | I. V. Horichok |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2012
|
| Назва видання: | Ukrainian Chemistry Journal |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001334009 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Impurity and vacancy effects in graphene
за авторством: Loktev, V.M., та інші
Опубліковано: (2012) -
Impurity and vacancy effects in graphene
за авторством: V. M. Loktev, та інші
Опубліковано: (2012) -
Semiempirical energies of vacancy formation in semiconductors
за авторством: I. V. Horichok, та інші
Опубліковано: (2016) -
Semiempirical energies of vacancy formation in semiconductors
за авторством: I. V. Horichok, та інші
Опубліковано: (2016) -
QSPR model for predicting of the standard enthalpy of formation of complex oxygen-containing inorganic compounds
за авторством: L. M. Ognichenko, та інші
Опубліковано: (2024)