Electrophysical properties of meso-porous silicon free standing films modified with palladium

Electrophysical properties of meso-porous silicon free standing films modified with palladium

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2011
Hauptverfasser:	A. I. Manilov, V. A. Skryshevsky, S. A. Alekseev, G. V. Kuznetsov
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2011
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349422
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