Electrophysical properties of meso-porous silicon free standing films modified with palladium
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | A. I. Manilov, V. A. Skryshevsky, S. A. Alekseev, G. V. Kuznetsov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2011
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349422 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Electrophysical properties of meso-porous silicon free standing films modified with palladium
за авторством: Manilov, A.I., та інші
Опубліковано: (2011) -
Dynamic electrophysical characterization of porous silicon humidity sensing
за авторством: Bravina, S., та інші
Опубліковано: (2006) -
Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012) -
Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: Olenych, І.B.
Опубліковано: (2012) -
Problems of application of porous silicon to chemical and photocatalytic production of hydrogen
за авторством: A. I. Manilov
Опубліковано: (2016)