X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals

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Bibliographische Detailangaben
Datum:2011
Hauptverfasser: I. L. Shulpina, R. N. Kyutt, V. V. Ratnikov, I. A. Prokhorov, Zh. Bezbakh, M. P. Shcheglov
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: 2011
Schriftenreihe:Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349431
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