X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | I. L. Shulpina, R. N. Kyutt, V. V. Ratnikov, I. A. Prokhorov, Zh. Bezbakh, M. P. Shcheglov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2011
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349431 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals
за авторством: Shul’pina, I.L., та інші
Опубліковано: (2011) -
X-ray characterization of ZnSe single crystals doped with Mg
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2001) -
X-ray dosimetry of copper-doped CdGa₂S₄ single crystals
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2012) -
X-ray dosimetry of copper-doped CdGa2S4 single crystals
за авторством: S. N. Mustafaeva, та інші
Опубліковано: (2012) -
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)