X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals

X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2011
Hauptverfasser:	I. L. Shulpina, R. N. Kyutt, V. V. Ratnikov, I. A. Prokhorov, Zh. Bezbakh, M. P. Shcheglov
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2011
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349431
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