X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | I. L. Shulpina, R. N. Kyutt, V. V. Ratnikov, I. A. Prokhorov, Zh. Bezbakh, M. P. Shcheglov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2011
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349431 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
X-ray dosimetry of copper-doped CdGa₂S₄ single crystals
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2012)
X-ray characterization of ZnSe single crystals doped with Mg
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2001)
X-ray dosimetry of copper-doped CdGa2S4 single crystals
за авторством: S. N. Mustafaeva, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: S. N. Mustafaeva, та інші
Опубліковано: (2012)
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)
Rotation of single crystals of chiral dopants at the top of namatic droplet: a hydrodynamical analogy
за авторством: Gvozdovskyy, I.A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gvozdovskyy, I.A., та інші
Опубліковано: (2007)
Dopant concentration dependence of thermostimulated luminescence in Li₂B₄O₇:Mn single crystals
за авторством: Holovey, V.M., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Holovey, V.M., та інші
Опубліковано: (2005)
Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2012)
Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2012)
X-ray dynamical diffractometry of defect structure of garnet single crystals
за авторством: V. M. Pylypiv, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. M. Pylypiv, та інші
Опубліковано: (2011)
Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
за авторством: I. M. Fodchuk, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: I. M. Fodchuk, та інші
Опубліковано: (2010)
Investigation of the optical coatings on the DKDP single crystals by X-ray photoelectron spectroscopy
за авторством: Yu. Loya, та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Yu. Loya, та інші
Опубліковано: (2004)
X-ray investigations of phase transition in Bi₂TeO₅ single crystals
за авторством: Domoratsky, K.V., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Domoratsky, K.V., та інші
Опубліковано: (1999)
Study of structure perfection of KDP single crystals using the X-ray dynamic diffraction effects
за авторством: Puzikov, V.M., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Puzikov, V.M., та інші
Опубліковано: (2011)
Dynamical Theory of Triple-Crystal X-ray Diffractometry and Characterization of Microdefects and Strains in Imperfect Single Crystals
за авторством: Molodkin, V.B., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Molodkin, V.B., та інші
Опубліковано: (2016)
Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
за авторством: Fodchuk, І.М., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Fodchuk, І.М., та інші
Опубліковано: (2010)
X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals
за авторством: Galiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Galiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Boron-doped diamond single crystals for probes of the high-vacuum tunneling microscopy
за авторством: A. P. Chepugov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. P. Chepugov, та інші
Опубліковано: (2013)
The Spectra of X-ray and photoluminescence of high-resistance crystals of ZnSe
за авторством: M. Alizadeh, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. Alizadeh, та інші
Опубліковано: (2018)
The Spectra of X-ray and photoluminescence of high-resistance crystals of ZnSe
за авторством: M. Alizadeh, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. Alizadeh, та інші
Опубліковано: (2018)
The effect of X-ray irradiation on ultrasound attenuation and velocity in LiF single crystals
за авторством: Petchenko, O.M., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Petchenko, O.M., та інші
Опубліковано: (2019)
Structural features of doped silicon single crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)
Hysteretic phenomena in Xe-doped C₆₀ from x-ray diffraction
за авторством: Prokhvatilov, A.I., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Prokhvatilov, A.I., та інші
Опубліковано: (2005)
Magnetic properties lithium-doped manganite single crystals
за авторством: Barilo, S.N., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Barilo, S.N., та інші
Опубліковано: (2001)
High-pressure-induced relaxation of electrical resistance of low-doped NoBa2Cu3O7–x single crystals
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2019)
Effect of high pressure on conductivity in the basal plane of Y₁₋xPrxBa₂Cu₃O₇₋δ single crystals lightly doped of praseodymium
за авторством: Khadzhai, G.Ya., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Khadzhai, G.Ya., та інші
Опубліковано: (2014)
Single-photon superradiance in a single-crystal semiconductor film in the saturation mode
за авторством: A. G. Moiseev, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. G. Moiseev, та інші
Опубліковано: (2018)
X-ray photoelectron spectroscopy of Sn₂P₂S₆ crystals
за авторством: Grigas, J., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Grigas, J., та інші
Опубліковано: (2008)
Double- and triple-crystal X-ray diffractometry of microdefects in silicon
за авторством: V. B. Molodkin, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. B. Molodkin, та інші
Опубліковано: (2010)
Double- and triple-crystal X-ray diffractometry of microdefects in silicon
за авторством: Molodkin, V.B., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Molodkin, V.B., та інші
Опубліковано: (2010)
X-ray photoelectron and Nuclear Magnetic Resonance studies of sol-gel glass doped with 5% Ga
за авторством: Smolyak Svitlana, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Smolyak Svitlana, та інші
Опубліковано: (2019)
X-Ray Diffractometry of Lanthanum-Doped Iron—Yttrium Garnet Structures after Ion Implantation
за авторством: I. M. Fodchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. M. Fodchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
The study of the influence of X-ray irradiation on dislocation characteristics in LiF crystals
за авторством: Petchenko, О.M., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Petchenko, О.M., та інші
Опубліковано: (2021)
High-sensitivity X-ray TV systems based on X-ray screens and CCD cameras with image accumulation
за авторством: V. A. Troitskij, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: V. A. Troitskij, та інші
Опубліковано: (2009)
Migration-enhanced energy transfer from host to dopant in Sr₂CeO₄:Eu crystal
за авторством: Masalov, A.A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Masalov, A.A., та інші
Опубліковано: (2008)
Detectors based on Cd(Zn)Te semiconductors for x-ray and gamma radiation registration
за авторством: S. M. Levytskyi
Опубліковано: (2020)
за авторством: S. M. Levytskyi
Опубліковано: (2020)
Electronic structure and x-ray magnetic circular dichroism of Mn-doped TiO₂
за авторством: Bekenov, L.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Bekenov, L.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Gamma-ray-induced decrease of L-defect concentration in KDP single crystals
за авторством: Levchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Levchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2011)
Investigation of the optical coatings on the dkdp single ctystals by x-ray photoelectron spectroscopy
за авторством: Loya, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Loya, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)
Growing the high-resistive Cd₁₋xZnxTe single crystals from a vapor phase
за авторством: Feychuk, P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Feychuk, P., та інші
Опубліковано: (2005)
Схожі ресурси
-
X-ray dosimetry of copper-doped CdGa₂S₄ single crystals
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2012) -
X-ray characterization of ZnSe single crystals doped with Mg
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2001) -
X-ray dosimetry of copper-doped CdGa2S4 single crystals
за авторством: S. N. Mustafaeva, та інші
Опубліковано: (2012) -
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016) -
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)