X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2011
Автори: I. L. Shulpina, R. N. Kyutt, V. V. Ratnikov, I. A. Prokhorov, Zh. Bezbakh, M. P. Shcheglov
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: 2011
Назва видання:Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349431
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS