Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2011
Hauptverfasser:	V. L. Borblik, I. A. Rudnev, Yu. M. Shwarts, M. M. Shwarts
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2011
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349435
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