Optimal solution in producing 32nm CMOS technology transistor with desired leakage current
Збережено в:
Дата: | 2011 |
---|---|
Автори: | H. A. lgomati, I. Ahmad, F. Salehuddin, F. A. Hamid, A. Zaharim, B. Y. Majlis, P. R. Apte |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2011
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349484 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Optimal solution in producing 32-nm CMOS technology transistor with desired leakage current
за авторством: Elgomati, H.A., та інші
Опубліковано: (2011) -
Fabrication and characterization of a 0.14 μm CMOS device using ATHENA and ATLAS simulators
за авторством: Ahmad, Ibrahim, та інші
Опубліковано: (2006) -
The effect of doping methods on electrical properties and micromorphology of polysilicon gate electrode in submicron CMOS devices
за авторством: Ahmad, I., та інші
Опубліковано: (2002) -
The magnetosensitive transistors
за авторством: L. F. Vikulina
Опубліковано: (1998) -
The magnetogate transistors
за авторством: L. F. Vikulina
Опубліковано: (1998)