Optimal solution in producing 32nm CMOS technology transistor with desired leakage current

Optimal solution in producing 32nm CMOS technology transistor with desired leakage current

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2011
Hauptverfasser:	H. A. lgomati, I. Ahmad, F. Salehuddin, F. A. Hamid, A. Zaharim, B. Y. Majlis, P. R. Apte
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2011
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349484
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Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

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