Зображення обкладинки

Role of Sb additive in the dielectric properties of Se90In10 and Se75In25 glassy alloys

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2011
Автори:	J. Sharma, S. Kumar
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2011
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349485
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Role of Sb additive in the dielectric properties of f Se₉₀In₁₀ and Se₇₅In₂₅ glassy alloys
за авторством: Sharma, J., та інші
Опубліковано: (2011)

Relaxation and thermoinduced processes in glassy HgSe(x)-GeSe₂(₁-x) alloys
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2003)

Urbach’s edge of glassy HgSe-GeSe₂ alloys: static disorder and temperature dependence of optical absorption
за авторством: Bozhko, V.V., та інші
Опубліковано: (2002)

Dielectric relaxation in Se₈₀Ge₂₀ and Se₇₅Ge₂₀Ag₅ chalcogenide glasses
за авторством: Dwivedi, A., та інші
Опубліковано: (2005)

Влияние высоких давлений на электрические свойства сегнетоэлектриков AgPbSbSe₃, CuSnAsSe₃, CuSnSbSe₃, AgSnSbSe₃ и CuSnSbS₃
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2009)

Glass formation region and X-ray analysis of the glassy alloys in AgGaSe₂+GeS₂<=>AgGaS₂+GeSe₂ system
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)

ВЗАЄМОДІЯ У КВАЗІПОДВІЙНИХ СИСТЕМАХ НА ОСНОВІ TlSbP2Se6 ТА СПОЛУК СИСТЕМИ Tl2Se–Sb2Se3
за авторством: Sabov, Viktoria, та інші
Опубліковано: (2019)

Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni
за авторством: Garsia-Garsia, E., та інші
Опубліковано: (1998)

Polarization properties and a local structure of (GeSe₂)x(Sb2Se₃)₁-x glasses
за авторством: Malesh, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Dielectric spectroscopy of CuInSe₂ single crystals
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2016)

Electrical transport in thin films of glassy Ge₄₀Te₆₀-xSbx alloys
за авторством: Shukla, S., та інші
Опубліковано: (2010)

SYNTHESIS AND OPTICAL PROPERTIES OF MESOMORPHIC GLASSY NANOCOMPOSITES BASED ON CADMIUM CAPRYLATE WITH CdSe / ZnS HETERONANOPARTICLES
за авторством: Mirnaya, Tatiana, та інші
Опубліковано: (2019)

Dielectric spectroscopy of CuInSe2 single crystals
за авторством: S. N. Mustafaeva, та інші
Опубліковано: (2016)

Dielectric characteristics of GaSe nanocrystals intercalated with hydrogen
за авторством: Kaminskii, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Electrical transport in thin films of glassy Ge40Te60-xSbx alloys
за авторством: S. Shukla, та інші
Опубліковано: (2010)

Physico-chemical analysis and thermoelectric properties of (SnSe)1-x(ErSe)x system alloys
за авторством: E. M. Godzhayev, та інші
Опубліковано: (2014)

CRYSTALS GROWTH AND REFINEMENT OF THE Cu3SbSe3 CRYSTAL STRUCTURE
за авторством: Chorba , Onika, та інші
Опубліковано: (2022)

Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

X-ray photoelectron spectra and electronic structure of quasi-one-dimensional SbSeI crystals
за авторством: Grigas, J., та інші
Опубліковано: (2007)

Фазові рівноваги у системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Photoconductivity and photoluminescence features of y-irradiated GaS0. 75Se0. 25 &lt;Er&gt; single crystals
за авторством: T. B. Taghiyev
Опубліковано: (2011)

Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis
за авторством: Kushnir, B.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Фазові рівноваги на квазібінарних перерізах квазіпотрійної системи Tl₂Se—SnSe₂—Bi₂Se₃
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Photoelectric properties of ₂O₃-pGaSe-pInSe cascade heterostructures
за авторством: Savchyn, V.P., та інші
Опубліковано: (2002)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)

Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
за авторством: Bercha, D.M., та інші
Опубліковано: (2000)

Фазові рівноваги у квазіпотрійній системі Tl₄SnSe₄—TlBiSe₂—Tl₉BiSe₆
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2011)

КВАЗІПОТРІЙНА СИСТЕМА Tl2Se–TlInSe2–Tl4P2Se6
за авторством: Barchiy, Igor, та інші
Опубліковано: (2019)

Physical properties of ZnSe-MgSe, ZnSe-CdS solid solutions and possibilities of their application in IR engineering
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2000)

Free and bound states of excitons in percolation cluster of ZnSe quantum dots in dielectric matrix
за авторством: N. V. Bondar, та інші
Опубліковано: (2011)

Interaction influence in systems M2Se3—Ge (M – In,Sb) on properties of thin-film coatings
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
за авторством: Кондрат, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001)

Phase equilibria in the Tl2Se-Tl9BiSe6-Tl4SnSe3 system
за авторством: O. O. Masalovych, та інші
Опубліковано: (2015)

Фазові рівноваги в системі Tl₂Se—SnSe, одержання та властивості монокристалів сполуки Tl₄SnSe₃
за авторством: Малаховська, Т.О., та інші
Опубліковано: (2009)

Mechanisms of radiative and nonradiative recombination in ZnSe:Cr and ZnSe:Fe
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2004)

Механізм утворення потрійних сполук у системі Tl₂Se—SnSe₂
за авторством: Глух, О.С., та інші
Опубліковано: (2010)

Система Tl₂GeSe₃—Tl₄GeₓSn₁₋ₓSe₄ —Tl₂SnSe₃
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2006)

Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg
за авторством: Gryvul, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2022)

The structure of glassy HgS–GeS₂
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)