Buchumschlag

Role of Sb additive in the dielectric properties of Se90In10 and Se75In25 glassy alloys

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2011
Hauptverfasser:	J. Sharma, S. Kumar
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2011
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349485
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Role of Sb additive in the dielectric properties of f Se₉₀In₁₀ and Se₇₅In₂₅ glassy alloys
von: Sharma, J., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Relaxation and thermoinduced processes in glassy HgSe(x)-GeSe₂(₁-x) alloys
von: Halyan, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Urbach’s edge of glassy HgSe-GeSe₂ alloys: static disorder and temperature dependence of optical absorption
von: Bozhko, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Glass formation region and X-ray analysis of the glassy alloys in AgGaSe₂+GeS₂<=>AgGaS₂+GeSe₂ system
von: Halyan, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние высоких давлений на электрические свойства сегнетоэлектриков AgPbSbSe₃, CuSnAsSe₃, CuSnSbSe₃, AgSnSbSe₃ и CuSnSbS₃
von: Хейфец, О.Л., et al.
Veröffentlicht: (2009)

ВЗАЄМОДІЯ У КВАЗІПОДВІЙНИХ СИСТЕМАХ НА ОСНОВІ TlSbP2Se6 ТА СПОЛУК СИСТЕМИ Tl2Se–Sb2Se3
von: Sabov, Viktoria, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni
von: Garsia-Garsia, E., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Polarization properties and a local structure of (GeSe₂)x(Sb2Se₃)₁-x glasses
von: Malesh, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Dielectric spectroscopy of CuInSe₂ single crystals
von: Mustafaeva, S.N., et al.
Veröffentlicht: (2016)

SYNTHESIS AND OPTICAL PROPERTIES OF MESOMORPHIC GLASSY NANOCOMPOSITES BASED ON CADMIUM CAPRYLATE WITH CdSe / ZnS HETERONANOPARTICLES
von: Mirnaya, Tatiana, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Electrical transport in thin films of glassy Ge₄₀Te₆₀-xSbx alloys
von: Shukla, S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Dielectric spectroscopy of CuInSe2 single crystals
von: S. N. Mustafaeva, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Dielectric characteristics of GaSe nanocrystals intercalated with hydrogen
von: Kaminskii, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Electrical transport in thin films of glassy Ge40Te60-xSbx alloys
von: S. Shukla, et al.
Veröffentlicht: (2010)

CRYSTALS GROWTH AND REFINEMENT OF THE Cu3SbSe3 CRYSTAL STRUCTURE
von: Chorba , Onika, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Physico-chemical analysis and thermoelectric properties of (SnSe)1-x(ErSe)x system alloys
von: E. M. Godzhayev, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆
von: Козьма, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Фазові рівноваги у системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂
von: Козьма, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Photoconductivity and photoluminescence features of y-irradiated GaS0. 75Se0. 25 &lt;Er&gt; single crystals
von: T. B. Taghiyev
Veröffentlicht: (2011)

Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis
von: Kushnir, B.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Фазові рівноваги на квазібінарних перерізах квазіпотрійної системи Tl₂Se—SnSe₂—Bi₂Se₃
von: Козьма, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
von: Pokladok, N. T., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
von: Bercha, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Фазові рівноваги у квазіпотрійній системі Tl₄SnSe₄—TlBiSe₂—Tl₉BiSe₆
von: Барчій, І.Є., et al.
Veröffentlicht: (2011)

КВАЗІПОТРІЙНА СИСТЕМА Tl2Se–TlInSe2–Tl4P2Se6
von: Barchiy, Igor, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Physical properties of ZnSe-MgSe, ZnSe-CdS solid solutions and possibilities of their application in IR engineering
von: Zagoruiko, Yu.A., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
von: Кондрат, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Interaction influence in systems M2Se3—Ge (M – In,Sb) on properties of thin-film coatings
von: V. F. Zinchenko, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Free and bound states of excitons in percolation cluster of ZnSe quantum dots in dielectric matrix
von: N. V. Bondar, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Phase equilibria in the Tl2Se-Tl9BiSe6-Tl4SnSe3 system
von: O. O. Masalovych, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Фазові рівноваги в системі Tl₂Se—SnSe, одержання та властивості монокристалів сполуки Tl₄SnSe₃
von: Малаховська, Т.О., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Система Tl₂GeSe₃—Tl₄GeₓSn₁₋ₓSe₄ —Tl₂SnSe₃
von: Барчій, І.Є., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Mechanisms of radiative and nonradiative recombination in ZnSe:Cr and ZnSe:Fe
von: Godlewski, M., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Механізм утворення потрійних сполук у системі Tl₂Se—SnSe₂
von: Глух, О.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg
von: Gryvul, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Phase equilibria in the Tl4SnSe4—TlBiSe2—Tl9BiSe6 quasiternary system
von: Ye. Barchii, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Термоелектричні властивості монокристалів сполук Tl₄SnS₄(Se₄) і Tl₂SnS₃(Se₃)
von: Малаховська, Т.О., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Tem investigation of CuInSe₂-ZnSe heterostructures for thin film solar cells
von: Grigorov, S.N., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)