The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | Z. D. Kovalyuk, A. G. Khandozhko, G. I. Lastivka, A. P. Samila |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2011
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349487 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2011) -
Electrical properties of photosensitive heterostructures n-FeS₂/p-InSe
за авторством: Tkachuk, I.G., та інші
Опубліковано: (2018) -
Electrical properties of fast cooled InSe single crystals
за авторством: Zaslonkin, A.V., та інші
Опубліковано: (2008) -
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledzyuk, та інші
Опубліковано: (2013) -
Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2004)