Influence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Si
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автор: | I. I. Boiko |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2011
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349492 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Influence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Si
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)
Electron-electron drag in crystals with multivalley band
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
Influence of the high-temperature annealing on the anisotropy parameters of mobility and the anisotropy of the thermoelectromotive-drag of electrons by phonons in n-Si
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Anisotropy of electron phonon drag thermoEMF in n-Ge
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)
Concentration dependences of the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μ || and the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermopower M = α || ph/α⊥ ph IN n-Ge and n-Si
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of tin impurity on degradation of conductivity in electron-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)
Influence of tin impurity on degradation of conductivity in electron-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)
Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)
Piezoresistive sensor composites with oriented 1D structure of conducive filler
за авторством: V. V. Levchenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. V. Levchenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)
Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)
Electron transport through nanocomposite SiO₂(Si) films containing Si nanocrystals
за авторством: Bratus, O.L., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Bratus, O.L., та інші
Опубліковано: (2016)
Electron field emission from SiOx films
за авторством: Evtukh, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Evtukh, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Electron transport through nanocomposite SiO2(Si) films containing Si nanocrystals
за авторством: O. L. Bratus, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. L. Bratus, та інші
Опубліковано: (2016)
Thermo emf in a two-dimensional electron-hole system in HgTe quantum wells in the presence of magnetic field. The role of the diffusive and the phonon-drag contributions
за авторством: E. B. Olshanetsky, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: E. B. Olshanetsky, та інші
Опубліковано: (2021)
Kirchhoff and electron curvature indexes for SiC nanoclusters
за авторством: Luzanov, A.V.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Luzanov, A.V.
Опубліковано: (2017)
Contribution of f- and g- transitions to electron intervalley scattering of n-Si at temperatures 300 to 450 K
за авторством: V. M. Ermakov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. M. Ermakov, та інші
Опубліковано: (2012)
The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Influence of inter-electron scattering on the form of non-equilibrium distribution function of band carriers
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2019)
Influence of inter-electron scattering on the form of non-equilibrium distribution function of band carriers
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2018)
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2018)
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017)
Ion drag force on a charged macroparticle in collisionless plasma
за авторством: I. L. Semenov
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. L. Semenov
Опубліковано: (2013)
Ion drag force on a charged macroparticle in collisionless plasma
за авторством: I. L. Semenov
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. L. Semenov
Опубліковано: (2013)
Effect of nonlinear electron-electron interaction on electron tunneling through an asymmetric two-barrier resonance tunnel structure
за авторством: M. V. Tkach, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: M. V. Tkach, та інші
Опубліковано: (2012)
Belt-type hydraulic station which uses the power of drag
за авторством: A. I. Jakovlev, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. I. Jakovlev, та інші
Опубліковано: (2013)
Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2012)
Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2012)
Influence of electron-phonon interaction on Wannier-Stark effect in macroporous silicon structures with SiO2 nanocoatings
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2014)
Quartz tuning fork oscillations in He II and drag coefficient
за авторством: I. A. Gritsenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: I. A. Gritsenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Electronic structure, optical and photoelectrical properties of crystalline Si2Te3
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2019)
Influence of electron-deformation effects on the electron structure of quantum dots in stressed nanoheterosystems
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of electron-deformation effects on the electron structure of quantum dots in stressed nanoheterosystems
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2014)
Counterflow in Bose gas bilayers: collective modes and dissipationless drag
за авторством: S. H. Abedinpour, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: S. H. Abedinpour, та інші
Опубліковано: (2020)
Electron structure of the equilibrium and metastable phases in superionic Li2SiS3
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2013)
Electronic Structure of Amorphous Metal Alloy Fe77Si8B15
за авторством: V. L. Karbovskij, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. L. Karbovskij, та інші
Опубліковано: (2014)
Immersion zone irradiated with n-InSe electrons
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2013)
Elements of solid state electronics based on SOI-structures and Si whiskers for cryogenic temperatures
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2014)
Excitons formed from spatially separated electrons and holes in Ge/Si geterostructures with quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnij
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. I. Pokutnij
Опубліковано: (2016)
Схожі ресурси
-
Influence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Si
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011) -
Electron-electron drag in crystals with multivalley band
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009) -
Influence of the high-temperature annealing on the anisotropy parameters of mobility and the anisotropy of the thermoelectromotive-drag of electrons by phonons in n-Si
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014) -
Anisotropy of electron phonon drag thermoEMF in n-Ge
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012) -
Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)