Buchumschlag

Chemical-dynamic polishing of semiconductor materials based on Bi and Sb chalcogenides by using HNO3-HCl solutions

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2011
Hauptverfasser:	I. I. Pavlovich, Z. F. Tomashik, I. B. Stratiychuk, V. M. Tomashik, O. A. Savchuk, A. S. Kravtsova
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2011
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349495
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Chemical-dynamic polishing of semiconductor materials based on Bi and Sb chalcogenides by using HNO₃–HCl solutions
von: Pavlovich, I.I., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Chemical etching of CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe and Te in the HNO₃-HCl-citric acid
von: Tomashik, Z.F., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Chemical dynamic polishing CdTe and CdxHg₁–xTe single crystals by using solutions of H₂O₂–HCl–tartaric acid system
von: Tomashik, Z.F., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr
von: Pavlovich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Хіміко-динамічне полірування поверхні CdTe травильними композиціями (NH4)2Cr2O7–HCl–щавлева кислота
von: Chukhnenko, P. S., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Chemical-mechanical polishing of solid solutions crystals based on bismuth and antimony tellurides by compositions, which release bromine
von: I. I. Pavlovich, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Optical nonlinearities in chalcogenide vitreous semiconductors (review)
von: I. D. Tolmachev, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Formation of polished surface of PbTe and Pb1-xSnxTe semiconductor plates PbTe y Pb1–xSnxTe
von: G. P. Malanich, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Superlattice nanostructures based on chalcogenide semiconductors
von: Sipatov
Veröffentlicht: (2009)

Chemical dissolution of indium arsenide in the Br₂-HBr solutions
von: Tomashik, Z.F., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Photochemistry of HCl in rare gas matrices
von: Godders, K., et al.
Veröffentlicht: (1996)

Thermoelectricity of lead telluride doped with Sb and Bi
von: M. O. Galuschak, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Chemical etching of ZnSe crystal surfaced by the H2O2–HBr– acetic acid solutions
von: A. S. Stanetskaja, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Optical recording of information pits in thin layers of chalcogenide semiconductors
von: Morozovska, A.N., et al.
Veröffentlicht: (2004)

The use of chalcogenide glassy semiconductors to create micro- and nanoscale structures
von: Petrov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2020)

The use of chalcogenide glassy semiconductors to create micro- and nanoscale structures
von: V. V. Petrov, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Modeling the process of removal aimed at cut traces on semiconductor wafers by using the method of contactless chemical-and-dynamical polishing
von: G. A. Pashchenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Chemical etching of PbTe and Pb1–xSnxTe single crystals by using H2O2–HBr solutions with different initial HBr concentrations
von: G. P. Malanich, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Равновесия ионизации HCl в разбавленных спиртовых растворах
von: Булавин, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Physico-chemical interaction in system based on thallium (I) chalcogenides
von: M. Y. Filep, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Preparation methods for nano-sized structures using films of chalcogenide glassy semiconductors
von: Petrov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Термодинамика конверсии ионных пар в спиртовых растворах HCl
von: Булавин, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Anisotropy of thermoelectric properties of r-type nanostructured material based on (Bi, Sb)2Te3
von: I. A. Drabkin, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Investigation of corrosion-resistant properties of aurantium oil in 1 M HCl
von: H. Bendaha, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов
von: Цымбал, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Crystalline structure and chemical bond of Cd-Sb-Zn
von: O. M. Manyk, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Crystalline structure and chemical bond of Cd-Sb-Zn
von: O. N. Manik, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Adsorbate-induced distortion of solid surfaces. Application to HCl on ice at stratospheric conditions
von: Vakarin, E.V., et al.
Veröffentlicht: (2001)

On the origin of radiation-induced metastability in vitreous chalcogenide semiconductors: The role of intrinsic and impurity-related destruction-polymerization transformations
von: M. V. Shpotyuk, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Факторы Холла и магнитосопротивления в монокристалле Bi₀,₈₈Sb₀,₁₂, легированном Te
von: Гасанова, Х.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Получение термоэлектрического наноматериала на основе твердого раствора (Bi, Sb)₂Te₃
von: Любушкин, Р.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

On the origin of radiation-induced metastability in vitreous chalcogenide semiconductors: The role of intrinsic and impurity-related destruction-polymerization transformations
von: Shpotyuk, M.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Optimization of conditions for treatment of ZnSe crystal surfaces by chemical etching
von: V. M. Tomashyk, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Dissolution of indium arsenide in nitric solutions of the hydrobromic acid
von: Tomashik, Z.F., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Optimization of conditions for treatment of ZnSe crystal surfaces by chemical etching
von: Tomashyk, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Features of the generation of energy states in the Lu1 – xVxNiSb semiconductor
von: V. V. Romaka, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Features of the generation of energy states in the Lu1 – xVxNiSb semiconductor
von: V. V. Romaka, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Problems of chemical-dynamic polishing in the technology of silicon p-i-n photodiodes
von: M. S. Kukurudziak
Veröffentlicht: (2023)