Electrical properties of MIS structures with silicon nanoclusters
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | S. V. Bunak, V. V. Ilchenko, V. P. Melnik, I. M. Hatsevych, B. N. Romanyuk, A. G. Shkavro, O. V. Tretyak |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2011
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349502 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Electrical properties of MIS structures with silicon nanoclusters
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2011)
Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO₂ grown by high temperature annealing technology of SiOx layer, X<2
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO2 grown by high temperature annealing technology of SiOX layer, X&lt;2
за авторством: S. V. Bunak, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: S. V. Bunak, та інші
Опубліковано: (2010)
Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers
за авторством: O. S. Oberemok, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: O. S. Oberemok, та інші
Опубліковано: (2011)
Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers
за авторством: Oberemok, O.S., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Oberemok, O.S., та інші
Опубліковано: (2011)
The influence of H₂S and H₂ adsorption on characteristics of MIS structures with Si porous layers
за авторством: Solntsev, V.S., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Solntsev, V.S., та інші
Опубліковано: (2008)
Electrical properties of macroporous silicon structures
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2001)
Properties of hexagon-shaped carbon nanoclusters
за авторством: O. S. Karpenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. S. Karpenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Activation of catalytic properties of metal nanoclusters
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2014)
Quantum chemical modeling of the structure and properties of SnO2 nanoclusters
за авторством: O. V. Filonenko, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: O. V. Filonenko, та інші
Опубліковано: (2021)
Structure and properties of hexagonal carbon nanoclusters C95N of graphene-like structure
за авторством: O. S. Karpenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. S. Karpenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Translation as (mis)understanding: Terminological discussion. What is it like to be a zombie?
за авторством: A. Vakhtel, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. Vakhtel, та інші
Опубліковано: (2016)
Activation of catalytic properties of metal nanoclusters
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2014)
Non-axisymmetric neoclassical transport from mis-alignment of equipotential and magnetic surfaces
за авторством: Markl, M., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Markl, M., та інші
Опубліковано: (2022)
Electronic structure of large modified nickel nanoclusters
за авторством: Pokhmurskii, V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Pokhmurskii, V., та інші
Опубліковано: (2006)
Structure and properties of hexagon-shaped carbon nanoclusters containing one and two single vacancies
за авторством: O. S. Karpenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. S. Karpenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
Photoluminescence characterization of Al/Al₂O₃/InP MIS structures passivated by anodic oxidation
за авторством: Mahdjoub, A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Mahdjoub, A., та інші
Опубліковано: (2004)
Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)
Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: Olenych, І.B.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Olenych, І.B.
Опубліковано: (2012)
Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)
Pecularities of pore relaxation in nanoclusters
за авторством: Ratner, M.A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ratner, M.A., та інші
Опубліковано: (2016)
Structural and phase transitions in nanocluster ethanol samples at low temperatures
за авторством: V. Efimov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. Efimov, та інші
Опубліковано: (2015)
Structural and phase transitions in nanocluster ethanol samples at low temperatures
за авторством: Efimov, V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Efimov, V., та інші
Опубліковано: (2015)
Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
за авторством: Ye. Ye. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ye. Ye. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Erratum: Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)
Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
за авторством: Melnichuk, Ye.Ye., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melnichuk, Ye.Ye., та інші
Опубліковано: (2014)
Research of the influence of silicon impregnation on the structure and properties of hot-pressed silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Research of the influence of siliconizing on the structure and properties of hot-pressed polycrystalline silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Structural F.C.C.—Icosahedron Transitions within the Aluminium and Lead Nanoclusters
за авторством: V. S. Bajdyshev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. S. Bajdyshev, та інші
Опубліковано: (2014)
Formation of nanoclusters in the transition of carbon dioxide to the supercritical state
за авторством: Borts, B.V., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Borts, B.V., та інші
Опубліковано: (2022)
The influence of high energy irradiation on electrical and dissipative properties of silicon single crystals
за авторством: Pelikhaty, N.M., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Pelikhaty, N.M., та інші
Опубліковано: (2006)
Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon
за авторством: Groza, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Groza, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)
Electrical properties intergranular boundaries in the volume of polycrystalline silicon
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2013)
Rotationally induced luminescence of nanoclusters immersed in superfluid helium
за авторством: P. T. McColgan, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: P. T. McColgan, та інші
Опубліковано: (2019)
Rotationally induced luminescence of nanoclusters immersed in superfluid helium
за авторством: McColgan, P.T., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: McColgan, P.T., та інші
Опубліковано: (2019)
Схожі ресурси
-
Electrical properties of MIS structures with silicon nanoclusters
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2011) -
Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO₂ grown by high temperature annealing technology of SiOx layer, X<2
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010) -
Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO2 grown by high temperature annealing technology of SiOX layer, X&lt;2
за авторством: S. V. Bunak, та інші
Опубліковано: (2010) -
Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers
за авторством: O. S. Oberemok, та інші
Опубліковано: (2011) -
Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers
за авторством: Oberemok, O.S., та інші
Опубліковано: (2011)