Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | O. S. Oberemok, V. G. Litovchenko, D. V. Gamov, V. G. Popov, V. P. Melnik, Yo. Gudymenko, V. A. Nikirin, I. M. Khatsevich |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2011
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349736 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers
за авторством: Oberemok, O.S., та інші
Опубліковано: (2011) -
Revision of interface coupling in ultra-thin body silicon-on-insulator MOSFETs
за авторством: T. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013) -
Revision of interface coupling in ultra-thin body silicon-on-insulator MOSFETs
за авторством: Rudenko, T., та інші
Опубліковано: (2013) -
Electrical properties of MIS structures with silicon nanoclusters
за авторством: S. V. Bunak, та інші
Опубліковано: (2011) -
Electrical properties of MIS structures with silicon nanoclusters
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2011)