Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автор: | I. I. Boiko |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2011
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349751 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)
Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)
Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017)
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)
Stress-induced effects in light scattering by plasmons in p-type germanium
за авторством: Poroshin, V.N., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Poroshin, V.N., та інші
Опубліковано: (2003)
Influence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Si
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011)
Influence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Si
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011)
Electron tunneling in the germanium/silicon heterostructure with germanium quantum dots: theory
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
The impact of heavy Ga doping on superconductivity in germanium
за авторством: Skrotzki, R., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Skrotzki, R., та інші
Опубліковано: (2011)
The impact of heavy Ga doping on superconductivity in germanium
за авторством: R. Skrotzki, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: R. Skrotzki, та інші
Опубліковано: (2011)
Hall study of conductive channels formed in germanium by beams of high-energy light ions
за авторством: S. V. Lysochenko, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: S. V. Lysochenko, та інші
Опубліковано: (2021)
Hall study of conductive channels formed in germanium by beams of high-energy light ions
за авторством: S. V. Lysochenko, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: S. V. Lysochenko, та інші
Опубліковано: (2021)
Configuration transitions of divacancies in silicon and germanium
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)
Modification of electroluminescence and charge trapping in germanium implanted metal-oxide-silicon light-emitting diodes with plasma treatment
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2005)
Electron-electron drag in crystals with multivalley band
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)
Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes
за авторством: Gontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Gontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2003)
Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures
за авторством: Litovchenko, P., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Litovchenko, P., та інші
Опубліковано: (2009)
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2016)
On the theory of the binding energy of exciton quasimolecules in germanium/silicon double quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2022)
Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013)
Anisotropy and non-linearity of absorption of an intensive IR light by free electrons in germanium
за авторством: Vasetskii, V.M., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Vasetskii, V.M., та інші
Опубліковано: (2005)
Exciton spectroscopy with a spatially separated electron and a hole in a Ge/Si heterostructure with germanium quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnij
Опубліковано: (2018)
за авторством: S. I. Pokutnij
Опубліковано: (2018)
Electron-electron drag in crystals with a multi-valley band. Magnetoresistivity and Hall-effect
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
Influence of polarization of conduction electrons in semiconductor on their light absorption
за авторством: Severin, V.S.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Severin, V.S.
Опубліковано: (2011)
Influence of polarization of conduction electrons in semiconductor on their light absorption
за авторством: V. S. Severin
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. S. Severin
Опубліковано: (2011)
Influence of neutron irradiation on the modulation processes of the base region of the silicon p+nn+-structure
за авторством: A. Z. Rakhmatov
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. Z. Rakhmatov
Опубліковано: (2013)
Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000)
Numerical Study of Mutual Conductivity of Ring Slot Radiators on Impedance Sphere
за авторством: Penkin, Yu. M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Penkin, Yu. M., та інші
Опубліковано: (2013)
Polarization of far-IR radiation from p-type germanium under uniaxial pressure and strong electric field
за авторством: Bondar, V., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Bondar, V., та інші
Опубліковано: (2001)
Heated electrons and holes in asymmetric p-n-junction located in the microwave field
за авторством: M. G. Dadamirzaev
Опубліковано: (2013)
за авторством: M. G. Dadamirzaev
Опубліковано: (2013)
Optical parameters of nanocomposite films of porous aluminium oxide with quantum dots of silicon or germanium
за авторством: Ju. V. Ushenin, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. V. Ushenin, та інші
Опубліковано: (2013)
Selihei P. O. Light and shades of the scientific style
за авторством: H. Naienko
Опубліковано: (2016)
за авторством: H. Naienko
Опубліковано: (2016)
Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010)
Схожі ресурси
-
Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011) -
Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2011) -
Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2011) -
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2017) -
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)