Photoconductivity and photoluminescence features of y-irradiated GaS0. 75Se0. 25 <Er> single crystals
Збережено в:
Дата: | 2011 |
---|---|
Автор: | T. B. Taghiyev |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2011
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349752 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Photoconductivity and photoluminescence features of γ-irradiated GaS₀.₇₅Se₀.₂₅‹Er› single crystals
за авторством: Taghiyev, T.B.
Опубліковано: (2011) -
Development of the CoCrAlY/ZrO<sub>2</sub>–8 % Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub> type thermal barrier coating by surface doping of the metal layer with aluminum
за авторством: Yu. Yakovchuk, та інші
Опубліковано: (2022) -
Study of the excitation of 11/2<sup>–</sup> isomeric state of the nucleus <sup>139</sup>Se in reaction (&gamma;,n)<sup>m</sup> in the giant E1-resonance region
за авторством: V. M. Mazur, та інші
Опубліковано: (2017) -
Prediction of thermodynamic properties of melts of CaO–Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>
за авторством: I. A. Goncharov, та інші
Опубліковано: (2014) -
Microscopic theory of the influence of dipole superparamagnetics (type <β–CD<FeSO4>>) on current flow in semiconductor layered structures (type GaSe, InSe)
за авторством: P. P. Kostrobij, та інші
Опубліковано: (2021)