Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2011
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349754 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Gudenko1, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gudenko1, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)
Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)
Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2008)
Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)
Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)
Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2012)
Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2012)
Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2000)
Interference effects in the Si–Ge heterostructures with quantum wells of different width
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2016)
Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
за авторством: Хижный, В.И.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Хижный, В.И.
Опубліковано: (2008)
Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)
Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
SiGe HBT low noise amplifiers for ultra-wideband systems
за авторством: V. P. Popov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. P. Popov, та інші
Опубліковано: (2013)
Seebeck's effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: A. P. Dolgolenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. P. Dolgolenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем
за авторством: Popov, V. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Popov, V. P., та інші
Опубліковано: (2013)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)
Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем
за авторством: Попов, В.П., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Попов, В.П., та інші
Опубліковано: (2013)
The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015)
The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2015)
Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2000)
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Двухкаскадные модули на основе Bi₂Te₃ и SiGe для термоэлектрических генераторов
за авторством: Михайловский, В.Я., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Михайловский, В.Я., та інші
Опубліковано: (2013)
Two-stage cascaded modules based on Bi2Te3 and SiGe for thermoelectric generators
за авторством: Ja. Mikhajlovskij, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ja. Mikhajlovskij, та інші
Опубліковано: (2013)
Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)
Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n+CdS heterostructures
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)
Charge transition phenomena in the heterostructure crystalline Si-Bi-amorphous film Ge₃₃As₁₂Se₅₅
за авторством: Kondrat, O., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Kondrat, O., та інші
Опубліковано: (2004)
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Двухкаскадные модули на основе Bi2Te3 и SiGe для термоэлектрических генераторов
за авторством: Mikhailovsky, V. Ya., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Mikhailovsky, V. Ya., та інші
Опубліковано: (2013)
Lateral photo-emf in Schottky contact
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2010)
Effect of the charge state of traps on the transport current in the SiC/Si heterostructure
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2000)
Features of magnetotransport in heterostructures with selectively doped quantum wells
за авторством: V. V. Vajnberg, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. V. Vajnberg, та інші
Опубліковано: (2014)
Nickel-induced enhancement of photo-luminescence in nc-Si-SiOx nanostructures
за авторством: K. V. Michailovska, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: K. V. Michailovska, та інші
Опубліковано: (2014)
Lateral photo-emf in a nonuniform Schottky contact
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2011)