Buchumschlag

Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2011
Hauptverfasser:	A. V. Sukach, V. V. Tetyorkin, N. M. Krolevec
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2011
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349822
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Shunt current in InAs diffused photodiodes
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Shunt current in InAs diffused photodiodes
von: Sukach, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2020)

InSb Photodiodes (Review, Part I)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2016)

InSb Photodiodes (Review, Part II)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Trotsenko. InSb photodiodes (Review. Part III)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

InAs photodiodes (review)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current
von: Moradi, M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

InAs photodiodes (Review. Part IV)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
von: G. V. Beketov, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
von: Beketov, G.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Heterostructure infrared photodiodes
von: Rogalski, A.
Veröffentlicht: (2000)

Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
von: Sukach, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
von: Sukach, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
von: Sukach, A., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
von: A. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Be-ion implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication and characterization
von: V. V. Korotyeyev, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
von: S. V. Stariy, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Be-ion-implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication, and characterization
von: Korotyeyev, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
von: V. V. Tetyorkin, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
von: V. V. Tetyorkin, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
von: Stariy, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

S1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p + -n junctions
von: V. V. Tetyorkin, et al.
Veröffentlicht: (2018)

1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p⁺-n junctions
von: Tetyorkin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Investigation of photodiode formation processes in insb by using beryllium ion implantation
von: Yu. V. Holtvianskyi, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
von: A. Druzhinin, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
von: Druzhinin, A., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Berry phase in strained InSb whiskers
von: Druzhinin, A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Berry phase in strained InSb whiskers
von: A. Druzhinin, et al.
Veröffentlicht: (2018)

InSb фотодіоди (Огляд. Частина I)
von: Сукач, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)

InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)
von: Сукач, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
von: Shutov, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
von: V. M. Bondar, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
von: V. M. Bondar, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Andronova, E. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇
von: Левченко, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Calculation of absorption coefficients of InSb₁₋xBix solid solutions
von: Vyklyuk, J.I., et al.
Veröffentlicht: (2000)