Energy band gap and electrical conductivity of Cd1-xMnxTe alloys with different manganese content
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | L. A. Kosyachenko, I. M. Rarenko, T. Aoki, V. M. Sklyarchuk, O. L. Maslyanchuk, N. S. Yurtsenyuk, Z. I. Zakharuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2011
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349823 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Energy band gap and electrical conductivity of Cd₁₋xMnxTe alloys with different manganese content
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2011)
Characterization of Hg₁₋xMnxTe single crystals and Hg₁₋xMnxTe -based photodiodes
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)
State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004)
Формирование наноструктур на поверхности кристаллов Cd₁₋xMnxTe при импульсном лазерном облучении
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2008)
Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe
за авторством: Несмелова, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Несмелова, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)
Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe
за авторством: Mazur, Yu.I.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Mazur, Yu.I.
Опубліковано: (1998)
Investigation of the direct/indirect exciton transition in the double quantum well system based on Cd₁₋yMgyTe/ Cd₁₋xMnxTe in applied magnetic field
за авторством: Lev, S.B., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Lev, S.B., та інші
Опубліковано: (2007)
Chemical treatment of Cd1-xMnxTe single crystals with H2O2-HI-citric acid aqueous solutions
за авторством: R. O. Denysyuk
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. O. Denysyuk
Опубліковано: (2014)
Thermoelectric figure of merit of Hg1-xMnxS, Hg1-x-uMnxFeyS and Hg1-xMnxTe1-zSz crystals
за авторством: P. D. Marianchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. D. Marianchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
The influence of irradiation by electrons and γ-quanta on photoelectrical and optical properties of epitaxial Pb₁₋xMnxTe film
за авторством: Abbasov, Sh.M., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Abbasov, Sh.M., та інші
Опубліковано: (2007)
Active region of CdTe X-/γ-ray detector with Schottky diode
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2005)
Compensation of hole conductivity in CdTe crystals doped with Cr
за авторством: Nikonyuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Nikonyuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2007)
Studies of CdHgTe as a material for x- and γ-ray detectors
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2003)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Band structure of [100] surface of Cd₁₋x Mn x Te diluted magnetic semiconductor
за авторством: Melnichuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Melnichuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Technological conditions effect on structural perfection of Cd₁₋ₓMnₓTe crystals
за авторством: Shafranyuk, V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Shafranyuk, V., та інші
Опубліковано: (2017)
Characterization of CdTe+Mn crystals depending on doping procedure
за авторством: Nikoniuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Nikoniuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2003)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Structural changes in molten CdTe
за авторством: Shcherbak, L., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Shcherbak, L., та інші
Опубліковано: (2000)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Physical properties and band structure of crystals (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, doped with manganese
за авторством: P. D. Marjanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. D. Marjanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Spectral distribution of photoelectric quantum yield of thin-film Au-CdTe diode structure
за авторством: Grushko, E.V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Grushko, E.V., та інші
Опубліковано: (2007)
Relaxation factors of acoustic conductivity in CdTe
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2018)
On the origin of 300 K near-band-edge luminescence in CdTe
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
Chemical treatment of Cd₁₋х MnxTe single crystals with H₂O₂–HI–citric acid aqueous solutions
за авторством: Denysyuk, R.O.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Denysyuk, R.O.
Опубліковано: (2014)
High-efficiency cadmium telluride detectors of X- and γ-radiation
за авторством: O. L. Maslyanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. L. Maslyanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Galvanomagnetic phenomena in HgMnTe and HgCdMnTe single crystals
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
Effect of annealing on activation of native acceptors in narrow-gap p-HgCdTe crystals
за авторством: Bogoboyashchiy, V.V.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Bogoboyashchiy, V.V.
Опубліковано: (1999)
Photoluminescence excitation spectroscopy in narrow - gap Hg₁₋x₋yCd xMnyTe
за авторством: Mazur, Yu. I.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Mazur, Yu. I.
Опубліковано: (1999)
Self-purification effect in CdTe:Gd crystals
за авторством: Nikonyuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Nikonyuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2008)
Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)
Application of CdTe (CdZnTe) detectors for radioactive waste characterization
за авторством: Dovbnya, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Dovbnya, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)
The behavior of superconducting gaps in a two-band model of HTSC
за авторством: Konsin, P., та інші
Опубліковано: (1996)
за авторством: Konsin, P., та інші
Опубліковано: (1996)
Conductivity type conversion in p-CdZnTe under pulsed laser irradiation
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Conductivity type conversion in p-CdZnTe under pulsed laser irradiation
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2014)
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
ZnO as a conductive layer prepared by ALD for solar cells based on n-CdS/n-CdTe/p-Cu₁.₈S heterostructure
за авторством: Semikina, T.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Semikina, T.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Simulation of the electronic states in the band gap for ZnS: Cu, Cl crystallophosphors
за авторством: Savchenko, N.D., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Savchenko, N.D., та інші
Опубліковано: (2004)
Схожі ресурси
-
Energy band gap and electrical conductivity of Cd₁₋xMnxTe alloys with different manganese content
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2011) -
Characterization of Hg₁₋xMnxTe single crystals and Hg₁₋xMnxTe -based photodiodes
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (1999) -
State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004) -
Формирование наноструктур на поверхности кристаллов Cd₁₋xMnxTe при импульсном лазерном облучении
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2008) -
Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe
за авторством: Несмелова, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)