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Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2011
Hauptverfasser:	S. I. Krukovskyi, A. V. Sukach, V. V. Tetorkin, I. O. Mrykhin, Yu. S. Mykhashchuk
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2011
Schriftenreihe:	Optoelectronics and Semiconductor Technique
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363687
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Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

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