Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
Gespeichert in:
| Datum: | 2011 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2011
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| Schriftenreihe: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363687 |
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| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |