Reverse current-voltage characteristics and carrier transport mechanisms in InAs photodi-odes
Збережено в:
Дата: | 2011 |
---|---|
Автори: | A. V. Sukach, V. V. Tetorkin, A. T. Voroshchenko, Yu. Kravetskyi, V. I. Lukianenko, I. H. Lutsyshyn |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2011
|
Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363692 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Peculiarities of preparation of CdTe p-n junctions and carrier transport in them
за авторством: A. T. Voroshchenko, та інші
Опубліковано: (2017) -
Carrier transport mechanisms in polycrystalline sandwich structures p+-PbTe/p-CdTe/p+-PbTe
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2013) -
Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2015) -
Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015) -
InAs photodiodes (review)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)