Refining of silicon single crystals in their growing by the method of electron beam crucibleless zonal melting
Збережено в:
Дата: | 2011 |
---|---|
Автори: | E. A. Asnis, A. B. Lesnoj, N. V. Piskun |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2011
|
Назва видання: | Electrometallurgy Today |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000471190 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Refining of silicon from background and alloying impurities in electron beam crucibleless zonal melting
за авторством: E. A. Asnis, та інші
Опубліковано: (2011) -
The refining of titanium by crucibleless zone melting method
за авторством: Kozhevnikov, O.E., та інші
Опубліковано: (2021) -
Refining of silicon using the method of electron beam melting
за авторством: V. A. Berezos, та інші
Опубліковано: (2009) -
Growing and refining crystalls of powder metallurgical silicon
за авторством: P. I. Loboda, та інші
Опубліковано: (2011) -
Specifics of crystallization refining in the process of growing flat single crystals of refractory metals in plasma-induction melting
за авторством: V. A. Shapovalov, та інші
Опубліковано: (2012)