Refining of silicon from background and alloying impurities in electron beam crucibleless zonal melting
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | E. A. Asnis, N. V. Piskun, I. I. Statkevich |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2011
|
| Назва видання: | Electrometallurgy Today |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000471203 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Refining of silicon single crystals in their growing by the method of electron beam crucibleless zonal melting
за авторством: E. A. Asnis, та інші
Опубліковано: (2011) -
The refining of titanium by crucibleless zone melting method
за авторством: Kozhevnikov, O.E., та інші
Опубліковано: (2021) -
Zonal refining of cast intermetallic alloy on TiAl base alloyed with niobium and chromium
за авторством: G. M. Grigorenko, та інші
Опубліковано: (2011) -
Contents of doping and background impurities in Si single crystals, obtained by czucibleless electron-beam zone melting
за авторством: Yu. A. Asnis, та інші
Опубліковано: (2011) -
Refining of silicon using the method of electron beam melting
за авторством: V. A. Berezos, та інші
Опубліковано: (2009)