Formation of rectifying contact in semiconductor–vacuum–metal system
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | L. G. Ilchenko, V. V. Ilchenko, V. V. Lobanov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2011
|
| Назва видання: | Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000473548 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Efect of metal on the surface characteristics of semiconductor
за авторством: L. H. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2011) -
Impact of atomic structure of metal surface on potential relief of closely located surface of semiconductor
за авторством: L. G. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2011) -
Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts metal-semiconductor (Review)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2018) -
Vacuum wetting and contact interaction of some of the metallic melts with indium and tin oxides
за авторством: M. F. Hryhorenko, та інші
Опубліковано: (2021) -
Formation of Metallic Electrical Conduction in Films of Vacuum Condensates of Metals
за авторством: R. I. Bihun, та інші
Опубліковано: (2014)