Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
Збережено в:
Дата: | 2011 |
---|---|
Автори: | M. Bataev, Ju. Bataev, L. Brillson |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2011
|
Назва видання: | Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000473551 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Репозиторії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021) -
Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021) -
Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями
за авторством: Kaliuzhnyi, V.V., та інші
Опубліковано: (2021) -
Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: Golenkov, A.G., та інші
Опубліковано: (2015) -
Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: A. G. Golenkov, та інші
Опубліковано: (2015)