Impact of atomic structure of metal surface on potential relief of closely located surface of semiconductor
Збережено в:
Дата: | 2011 |
---|---|
Автори: | L. G. Ilchenko, V. V. Ilchenko, V. V. Lobanov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2011
|
Назва видання: | Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000473578 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Efect of metal on the surface characteristics of semiconductor
за авторством: L. H. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2011) -
Formation of rectifying contact in semiconductor–vacuum–metal system
за авторством: L. G. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2011) -
Electrodynamic linear response of a superconductor film located at the surface of semiconductor
за авторством: Lozovski, V., та інші
Опубліковано: (2004) -
Temperature dependence of surface state parameters of metal-insulator-semiconductor structures
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2012) -
Random Error of Surface Relief Reconstruction by Radio Brightness
за авторством: Dulova, I. A., та інші
Опубліковано: (2013)