Vakulenko, O. V., Holovynskyi, S. L., & Kondratenko, S. V. (2011). Deep attachment levels in In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructures with quantum dots.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Vakulenko, O. V., S. L. Holovynskyi, und S. V. Kondratenko. Deep Attachment Levels in In0.4Ga0.6As/GaAs Heterostructures with Quantum Dots. 2011.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Vakulenko, O. V., et al. Deep Attachment Levels in In0.4Ga0.6As/GaAs Heterostructures with Quantum Dots. 2011.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.