Стиль цитування APA (7-ме видання)

Vakulenko, O. V., Holovynskyi, S. L., & Kondratenko, S. V. (2011). Deep attachment levels in In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructures with quantum dots.

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Vakulenko, O. V., S. L. Holovynskyi, та S. V. Kondratenko. Deep Attachment Levels in In0.4Ga0.6As/GaAs Heterostructures with Quantum Dots. 2011.

Стиль цитування MLA (8-ме видання)

Vakulenko, O. V., et al. Deep Attachment Levels in In0.4Ga0.6As/GaAs Heterostructures with Quantum Dots. 2011.

Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.