Ion synthesis of narrow-bandgap A3V5 semiconductor nanocrystals in silicon matrix for optoelectronics systems
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | F. F. Komarov, L. A. Vlasukova, O. V. Milchanin, A. F. Komarov, A. V. Mudryj, B. S. Dunets |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2011
|
| Назва видання: | Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000473582 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Impact of semiconductor quantum dots bandgap on the reabsorption in luminescent concentrator
за авторством: A. I. Shkrebtii, та інші
Опубліковано: (2018) -
Temperature dependence of raman spectra of silicon nanocrystals in oxide matrix
за авторством: A. S. Nikolenko
Опубліковано: (2013) -
Temperature dependence of raman spectra of silicon nanocrystals in oxide matrix
за авторством: A. S. Nikolenko
Опубліковано: (2013) -
The formation of isolating and gettering layers in semiconductors with use of medium energy proton implantation
за авторством: F. F. Komarov, та інші
Опубліковано: (2008) -
Polarization properties of the luminescence from silicon nanocrystals
за авторством: Diener, J., та інші
Опубліковано: (2000)