Epitaxial InGaN nanostructures grown in pores of anodic aluminium oxide on Si

Epitaxial InGaN nanostructures grown in pores of anodic aluminium oxide on Si

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2011
Автори:	G. G. Gorokh, D. V. Solovej, V. A. Labunov, V. I. Osinskij, D. O. Mazunov
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2011
Назва видання:	Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000473828
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Field emission cathodes based on porous anodic aluminium oxide and carbon nanotubes
за авторством: D. V. Solovej, та інші
Опубліковано: (2011)

Features of J-aggregates formation in pores of nanostructured anodic aluminum oxide
за авторством: Sorokin, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)

The temperature dependence of the inelastic scattering time in InGaN grown by MOVPE
за авторством: Yildiz, A., та інші
Опубліковано: (2010)

Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)

HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007)

Hydrogen evolution on the anode under plasma electrolytic oxidation of aluminium
за авторством: L. A. Snezhko, та інші
Опубліковано: (2016)

Characterization of ZnSe nanocrystals grown by vapor phase epitaxy
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Interdiffusion in EuS -based epitaxial superlattice nanostructures
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2013)

Features of luminescence of nanostructured aluminium oxide
за авторством: V. S. Kortov, та інші
Опубліковано: (2011)

Influencing of surfacing chips on extraction of radiation of superbright light emitting diodes on heterostructures InGaN/Al2O3
за авторством: V. I. Osinskij, та інші
Опубліковано: (2003)

Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах
за авторством: Zinovchuk, A.V., та інші
Опубліковано: (2025)

Self-organized nanostructured anodic oxides for displays applications
за авторством: P. Jaguiro, та інші
Опубліковано: (2010)

Self-organized nanostructured anodic oxides for display applications
за авторством: Jaguiro, P., та інші
Опубліковано: (2010)

The influence of electrolyte composition for hard anodizing of aluminium on oxide layer characteristics
за авторством: M. M. Student, та інші
Опубліковано: (2021)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2010)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)

Effect of the sapphire substrate on spectral emission features of LEDs based on InGaN/AlGaN/GaN heterostructures
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Growth of catalytically active nanostructures in the nonequilibrium epitaxy regime
за авторством: V. M. Gorshkov, та інші
Опубліковано: (2015)

Growth of catalytically active nanostructures in the nonequilibrium epitaxy regime
за авторством: V. M. Horshkov, та інші
Опубліковано: (2015)

Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Controlled technology of anodic alumina porous nanostructures
за авторством: T. S. Lebiedieva, та інші
Опубліковано: (2017)

Formation of atomic composition of A3B5 heterostructures at ionized beam epitaxy
за авторством: V. G. Verbitskij, та інші
Опубліковано: (2004)

Anodic processes on aluminium in aprotonic electrolytes based on tetraethylammonium tetrafluoroborates in acetonitrile
за авторством: D. H. Hromadskyi, та інші
Опубліковано: (2010)

Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2004)

Influence of atomic disorder on the auger recombination rate in p-InGaN alloys
за авторством: A. V. Zinovchuk, та інші
Опубліковано: (2020)

Influence of atomic disorder on the auger recombination rate in p-InGaN alloys
за авторством: A. V. Zinovchuk, та інші
Опубліковано: (2020)

The composition effect on the bowing parameter in the cubic InGaN, AlGaN and AlInN alloys
за авторством: Berrah, S., та інші
Опубліковано: (2008)

Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)

Electrophysical сharacteristics of LEDs based on GaN epitaxial films
за авторством: Oleksenko, P.Ph., та інші
Опубліковано: (1998)

Influence of structure of aluminum films and pores formation regimes on nanoporous anodic alumina for optical sensors
за авторством: T. S. Liebiedieva, та інші
Опубліковано: (2019)

A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)

Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014)

Ferromagnetism in Co-doped ZnO films grown by molecular beam epitaxy: magnetic, electrical and microstructural studies
за авторством: Strelchuk, V.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Ferromagnetism in Co-doped ZnO films grown by molecular beam epitaxy: magnetic, electrical and microstructural studies
за авторством: V. V. Strelchuk, та інші
Опубліковано: (2011)

Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si
за авторством: Горох, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2011)

Aging of ZnS:Mn thin - film electroluminescent devices grown by two different atomic-layer epitaxial processes
за авторством: Vlasenko, N.A., та інші
Опубліковано: (2001)

Manufacturing and investigation of thin-film aluminium-alumina nanostructures
за авторством: T. S. Lebiedieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Вплив невпорядкованої атомної структури на швидкість оже-рекомбінації в InGaN сполуках p-типу
за авторством: Zinovchuk, A. V., та інші
Опубліковано: (2020)