Зображення обкладинки

Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3Ч3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2011
Автор:	V. A. Gasparov
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2011
Назва видання:	Low Temperature Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000543414
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3×3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
за авторством: Gasparov, V.A.
Опубліковано: (2011)

Investigation of the local structure of nanosized heterostructures Si(111)/Si3N4(0001) on the basis of computer simulation
за авторством: Yu. Tarasova, та інші
Опубліковано: (2012)

Mechanism of 6H-3C transformation in SiC
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)

Microstructure of the relaxed (001) Si surface
за авторством: Kiv, A.E., та інші
Опубліковано: (2000)

Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: A. A. Grynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Scanning tunneling microscopy investigation of the Si(001)-c(8 Ч 8) nanostructured surface
за авторством: A. Goriachko, та інші
Опубліковано: (2015)

Scanning tunneling microscopy investigation of the Si(001)-c(8 Ч 8) nanostructured surface
за авторством: A. Goriachko, та інші
Опубліковано: (2015)

X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates
за авторством: N. V. Safriuk, та інші
Опубліковано: (2013)

3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2011)

3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2011)

Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: A. A. Greenchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

High-temperature configurations of dimers in Si (001) surface layers
за авторством: Kiv, A.E., та інші
Опубліковано: (2003)

Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024)

Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024)

Formation of β-SiC on por-Si/mono-Si surface according to Stranski - Krastanow mechanism
за авторством: Y. O. Suchikova, та інші
Опубліковано: (2022)

Study of the interaction of atoms of the IV- and V-th groups with Si(001) and Ge(001) surfaces
за авторством: T. V. Afanasieva
Опубліковано: (2015)

Study of the interaction of atoms of the IV- and V-th groups with Si(001) and Ge(001) surfaces
за авторством: T. V. Afanasieva
Опубліковано: (2015)

Surface polaritons in 6H-SiC single crystals placed in a strong uniform magnetic field
за авторством: Ye. F. Venher, та інші
Опубліковано: (2010)

Simulation of incoherent radiation absorption in 3C-, 6H- and 4H-SiC at rapid thermal processing
за авторством: Agueev, O.A., та інші
Опубліковано: (2000)

Дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури Sі(111)/Si₃N₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання
за авторством: Тарасова, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)

8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)

8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiBx-GaAs(SiC 6H) surface-barrier structures
за авторством: Abdizhaliev, S.K., та інші
Опубліковано: (2003)

Passivation of silicon surface by ultrathin dielectric film in M/Si/nematic/ITO structures
за авторством: Gritsenko, M.I., та інші
Опубліковано: (2004)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)

Interaction of molecular oxygen with Si(001) surface covered with a chromium or titanium monolayer
за авторством: I. P. Koval, та інші
Опубліковано: (2015)

Interaction of molecular oxygen with Si(001) surface covered with a chromium or titanium monolayer
за авторством: I. P. Koval, та інші
Опубліковано: (2015)

Temperature dependences of surface magnetoelastic constants of ultrathin Fe/GaAs (001) films
за авторством: Żuberek, R., та інші
Опубліковано: (2012)

Phonon-polariton excitations in MgZnO/6H-SiC structures
за авторством: O. V. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2020)

Phonon-polariton excitations in MgZnO/6H-SiC structures
за авторством: O. V. Melnychuk, та інші
Опубліковано: (2020)

Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: Lee, S.W., та інші
Опубліковано: (2010)

Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: S. W. Lee, та інші
Опубліковано: (2010)

Chlorine atomic chains on Ag(111) surface
за авторством: N. V. Petrova, та інші
Опубліковано: (2012)

Chlorine atomic chains on Ag(111) surface
за авторством: N. V. Petrova, та інші
Опубліковано: (2012)

Topography of Si epitaxial monolayers obtained on Si (001) substrate by computer simulations
за авторством: Pyziak, L., та інші
Опубліковано: (2003)

Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)

Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
за авторством: Kidalov, V. V., та інші
Опубліковано: (2024)

Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)