The influence of temperature on the width of the forbidden band of a semiconductor
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | G. Guljamov, Ju. Sharibaev |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2011
|
| Назва видання: | Physical surface engineering |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000889684 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
The temperature dependence of the width of the forbidden band of Si and the relation to the thermal broadening of the density of states
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2012)
The thermal broadening of the density of states and the temperature dependence of the width of the forbidden zone
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2012)
Influence of the effective mass of the state density on the temperature dependence of the band gap in solid solutions p-Bi2-xSbxTe3-ySey
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2013)
Investigations of the temperature dependence of the width prohibited zone Si and Ge using the model
за авторством: Ju. Sharibaev
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. Sharibaev
Опубліковано: (2013)
The temperature dependence of the band GAPSi
за авторством: G. Guliamov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: G. Guliamov, та інші
Опубліковано: (2013)
The temperature dependence of the density of surface states, determined using unsteady capacitive spectroscopy
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2010)
Temperature dependence of the density of state in a strong quantizing magnetic field
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2014)
Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)
Methods of forbidden and obsolete pesticides identification
за авторством: M. N. Gertsjuk
Опубліковано: (2013)
за авторством: M. N. Gertsjuk
Опубліковано: (2013)
Temperature changes in the function of the shape inherent to the band of exciton absorption in nano-film of layered semiconductor
за авторством: A. V. Derevyanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Derevyanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Tensoresistive effect in the system of potential barriers in semiconductor films
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2013)
Investigation of band gap width in mixed ZnSxSe1–x crystals
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)
Investigation of superlattice structure parameters using quasi-forbidden reflections
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2003)
Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses
за авторством: M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2012)
Phase portraits of deformation effects in semiconductors in the pulsed mode
за авторством: M. G. Dadamirzaev, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: M. G. Dadamirzaev, та інші
Опубліковано: (2012)
Mutagenic soil contamination activity on the territories of warehouses with pesticides forbidden and unsuitable for use
за авторством: R. A. Yakymchuk
Опубліковано: (2016)
за авторством: R. A. Yakymchuk
Опубліковано: (2016)
Solution of the problem on a partial contact of the faces of a variable width slit under temperature field influence
за авторством: V. M. Mirsalimov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. M. Mirsalimov, та інші
Опубліковано: (2015)
The dependence of the concentration of excess electrons (Δn) from variable strain (ε) in semiconductors
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2014)
Peculiarities of band gap width dependence upon concentration of the admixture strips randomly included in quasi-two-dimensional photonic crystal
за авторством: Rumyantsev, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Rumyantsev, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
Low temperature electron transport on semiconductor surfaces
за авторством: Lastapis, M., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Lastapis, M., та інші
Опубліковано: (2003)
Analysis of the near-band-edge luminescence of semiconductors containing isolated and bound shallow acceptors and donors
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2002)
Light absorption by d-dimensional organic semiconductors under exciton transitions between broad bands
за авторством: Grigorchuk, N. I.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Grigorchuk, N. I.
Опубліковано: (1999)
Band structure of [100] surface of Cd₁₋x Mn x Te diluted magnetic semiconductor
за авторством: Melnichuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Melnichuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Phase portraits of deformation effects on strain-sensitive Bi2Te3 and Sb2Te3 films
за авторством: Kh. Shamirzaev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kh. Shamirzaev, та інші
Опубліковано: (2011)
The internal conversion coefficient for the K-forbidden E1-transition with the energy of 55 keV in 177Hf
за авторством: A. P. Lashko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. P. Lashko, та інші
Опубліковано: (2012)
Temperature gradient and transport of heat and charge in a semiconductor structure (Review Article)
за авторством: Yu. Titov, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Yu. Titov, та інші
Опубліковано: (2021)
Optimisation of big N-width digits multiplication based on N-width DFT
за авторством: Tereshchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Tereshchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2015)
The enhancement of the absorption bands in the infrared spectra of low-temperature films of uracil with using interference
за авторством: Ju. Ivanov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ju. Ivanov, та інші
Опубліковано: (2018)
On origin of room temperature ferromagnetism in wide gap semiconductors
за авторством: Korbecka, Anna, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Korbecka, Anna, та інші
Опубліковано: (2009)
Temperature induced shift of electronic band structure in Fe(Se,Te)
за авторством: Yu. V. Pustovit, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Yu. V. Pustovit, та інші
Опубліковано: (2019)
Tiled orders of width 3
за авторством: Zhuravlev, V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Zhuravlev, V., та інші
Опубліковано: (2009)
Random maps and Kolmogorov widths
за авторством: I. A. Korenovska
Опубліковано: (2015)
за авторством: I. A. Korenovska
Опубліковано: (2015)
Width, Largeness and Index Theory
за авторством: Zeidler, Rudolf
Опубліковано: (2020)
за авторством: Zeidler, Rudolf
Опубліковано: (2020)
Concerning the depletion width of a radial p-n junction and its influence on electrical properties of the diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2017)
Exact solution of contact problem for partial interaction of width variable slit faces at temperature field action
за авторством: V. M. Mirsalimov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. M. Mirsalimov, та інші
Опубліковано: (2014)
The influence of heating temperature and sizes of components upon stresses and defect formation in semiconductor structures under isothermal heating
за авторством: Agueev, O.A., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Agueev, O.A., та інші
Опубліковано: (2001)
Exact solution of contact problem for partial interaction of width variable slit faces at temperature field action
за авторством: Мирсалимов, В. М., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Мирсалимов, В. М., та інші
Опубліковано: (2014)
Exact solution of contact problem for partial interaction of width variable slit faces at temperature field action
за авторством: Мирсалимов, В. М., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Мирсалимов, В. М., та інші
Опубліковано: (2014)
Схожі ресурси
-
The temperature dependence of the width of the forbidden band of Si and the relation to the thermal broadening of the density of states
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2012) -
The thermal broadening of the density of states and the temperature dependence of the width of the forbidden zone
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2012) -
Influence of the effective mass of the state density on the temperature dependence of the band gap in solid solutions p-Bi2-xSbxTe3-ySey
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2013) -
Investigations of the temperature dependence of the width prohibited zone Si and Ge using the model
за авторством: Ju. Sharibaev
Опубліковано: (2013) -
The temperature dependence of the band GAPSi
за авторством: G. Guliamov, та інші
Опубліковано: (2013)