The influence of temperature on the width of the forbidden band of a semiconductor
Збережено в:
Дата: | 2011 |
---|---|
Автори: | G. Guljamov, Ju. Sharibaev |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2011
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000889684 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
The temperature dependence of the width of the forbidden band of Si and the relation to the thermal broadening of the density of states
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2012) -
The thermal broadening of the density of states and the temperature dependence of the width of the forbidden zone
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2012) -
Influence of the effective mass of the state density on the temperature dependence of the band gap in solid solutions p-Bi2-xSbxTe3-ySey
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2013) -
Investigations of the temperature dependence of the width prohibited zone Si and Ge using the model
за авторством: Ju. Sharibaev
Опубліковано: (2013) -
The temperature dependence of the band GAPSi
за авторством: G. Guliamov, та інші
Опубліковано: (2013)