Passivation of the surface of a film silicon with organic monoshadas 1-kdadetsen: calculations from the first principles
Збережено в:
Дата: | 2011 |
---|---|
Автори: | R. M. Balabai, O. M. Chernikova |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2011
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000889686 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Passivation of silicon surface by ultrathin dielectric film in M/Si/nematic/ITO structures
за авторством: Gritsenko, M.I., та інші
Опубліковано: (2004) -
Passivation of CdHgTe epitaxial structures: ab initio calculations
за авторством: R. M. Balabai
Опубліковано: (2012) -
The choice of silicon nanostructures for CH₄ detection: ab-initio calculation
за авторством: Balabai, R.M., та інші
Опубліковано: (2014) -
The choice of silicon nanostructures for CH4 detection: ab-initio calculation
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2014) -
Calculation of photoconductivity spectra in silicon with surfaces structured with macropores
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)